公开(公告)号：CN119597686A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411099815.X

申请日：2024-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林石昡

IPC: G06F13/16

Abstract: 一种系统，包括：多个存储器件，多个存储器件中的每一个包括多个存储区域；主机，被配置为与多个存储器件通信；以及开关电路，被配置为存储多个存储器件中的多个存储区域之中被分配给主机的存储区域的映射信息，其中，多个存储器件之中的第一存储器件被配置为从开关电路接收映射信息的至少一部分，并且基于映射信息的至少一部分，对第一存储器件中的多个第一存储区域执行刷新操作。

公开(公告)号：CN110010173A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811352239.X

申请日：2018-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林石昡 ,  金尚玧 ,  朴德夏 ,  金恩我

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/4074

Abstract: 本发明提供一种操作存储器装置的方法以及一种刷新由非易失性存储器装置的存储器单元存储的数据的方法。具有存储器单元的存储器装置在正常模式、第一自刷新模式和第二自刷新模式中操作。第一自刷新模式提供用于在不具有外部命令的情况下保持存储在存储器单元中的数据的自刷新操作。从第一自刷新模式返回正常模式所需的时间比参考时间短。第二自刷新模式也提供所述自刷新操作，但是从第二自刷新模式返回正常模式所需的时间比参考时间长。与第二自刷新模式相比，正常模式向存储器单元提供较高的工作电压。

公开(公告)号：CN119673234A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410597595.7

申请日：2024-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林石昡

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G11C29/42

Abstract: 根据一些实施例的一种存储器装置包括：多个存储器体；多个寄存器；数据I/O缓冲器，所述数据I/O缓冲器被配置为发送和接收数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为接收地址和根据所述数据的类型预设的低延时位。所述控制逻辑被配置为确定所述低延时位的逻辑电平。所述控制逻辑被配置为：基于所述低延时位，将所述数据存储在所述多个存储体当中的与所述地址对应的存储体或所述多个寄存器当中的与所述地址对应的寄存器中，或者从与所述地址对应的所述存储体或与所述地址对应的所述寄存器读取所述数据。

公开(公告)号：CN119556849A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202410934295.3

申请日：2024-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林石昡

IPC: G06F3/06

Abstract: 提供了用于存储器池化的系统和方法。该系统包括：多个存储器设备；主机，被配置为与多个存储器设备通信；以及连接主机与多个存储器设备的交换机，该交换机被配置为从主机接收存储器分配请求，以及响应于从主机接收的所接收的存储器分配请求，基于主机的等级信息和多个存储器设备的等级信息将多个存储器设备中的至少一个分配给主机。

公开(公告)号：CN110010173B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN201811352239.X

申请日：2018-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林石昡 ,  金尚玧 ,  朴德夏 ,  金恩我

IPC: G06F1/3296 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4074

Abstract: 本发明提供一种操作存储器装置的方法以及一种刷新由非易失性存储器装置的存储器单元存储的数据的方法。具有存储器单元的存储器装置在正常模式、第一自刷新模式和第二自刷新模式中操作。第一自刷新模式提供用于在不具有外部命令的情况下保持存储在存储器单元中的数据的自刷新操作。从第一自刷新模式返回正常模式所需的时间比参考时间短。第二自刷新模式也提供所述自刷新操作，但是从第二自刷新模式返回正常模式所需的时间比参考时间长。与第二自刷新模式相比，正常模式向存储器单元提供较高的工作电压。