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发明公开
制造薄膜晶体管基板的方法无效

公开(公告)号：CN1901169A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610106018.5

申请日：2006-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文东元 , 林得洙 , 崔渊琇 , 崔浩根

IPC: H01L21/84 , H01L21/768

CPC classification number: H01L27/124

Abstract: 一种制造TFT基板的方法，包括：在绝缘基板上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成光敏层图案；使用光敏层图案；通过蚀刻栅极金属层来形成栅极布线；通过剥去光敏层图案来暴露栅极布线；以及使用包含硝酸的清洗剂来清洗暴露的栅极布线。因而，本发明提供了一种制造TFT基板的方法，该方法通过有效地去除微粒，提高了薄金属层的质量。

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