公开(公告)号：CN118234230A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311080489.3

申请日：2023-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金智美 ,  林宣和 ,  金武炫 ,  金成吉 ,  朴胤智 ,  曹永奂

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27 ,  H10B80/00

Abstract: 公开了一种半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。该半导体装置可以包括：栅极堆叠体，包括交替地堆叠在彼此顶部上的绝缘图案和导电图案；存储器沟道结构，穿透栅极堆叠体；选择线结构，在栅极堆叠体上；以及选择沟道结构，穿透选择线结构。存储器沟道结构包括绝缘覆盖层、包围绝缘覆盖层的存储器沟道层以及包围存储器沟道层的存储器层。选择沟道结构可以包括电连接到存储器沟道层的选择沟道层和包围选择沟道层的选择绝缘结构。选择沟道层可以包括在存储器沟道结构上的连接部和在连接部上的柱部，连接部中的晶粒的平均尺寸可以小于柱部中的晶粒的平均尺寸。