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发明公开
半导体器件及制造半导体器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN115548015A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210610190.3

申请日：2022-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰铭 , 李敬雨 , 金娜延 , 林圣勋 , 郑圣烨

IPC: H01L27/088 , H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：下部结构；所述下部结构上的第一层间电介质(ILD)；第一图案区，在所述第一ILD内在第一方向上延伸，所述第一图案区在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此分隔开，所述第一图案区中的每个第一图案区包括至少一个第一图案，并且所述至少一个第一图案在所述第一方向上的两端是凹陷的；以及第二图案区，在所述第一ILD内在所述第一方向上延伸，所述第二图案区在所述第二方向上彼此分隔开并且在所述第二方向上与所述第一图案区交替，所述第二图案区中的每个第二图案区包括至少一个第二图案。

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