公开(公告)号：CN101794733A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010004006.8

申请日：2010-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴寅旭 ,  林南守 ,  薛钟善

IPC: H01L21/82 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供一种采用双重构图形成半导体器件的方法。在衬底上形成第一材料膜。在第一材料膜上形成线性第二材料膜图案。在第二材料膜图案的侧壁上形成间隔物图案，并且去除第二材料膜图案，以暴露第一材料膜的位于间隔物图案之间的部分。去除第一材料膜的暴露部分，以形成第一材料膜图案。在由第一材料膜图案限定的沟槽中，形成第三材料膜图案。与第二材料膜图案的端部毗邻的第二材料膜图案的相邻第一部分被分隔的距离小于单个间隔物图案的宽度的2倍。在一些实施例中，将第二材料膜图案中的相邻第一部分分隔的距离大于最小特征尺寸，并且单个间隔物图案的宽度大约等于最小特征尺寸。