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公开(公告)号：CN118263226A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311466368.2
申请日：2023-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种半导体设备包括半导体管芯、芯片保护环、第一裂缝检测结构、第二裂缝检测结构和检测控制器。半导体管芯包括布置有半导体集成电路的中心区域和围绕中心区域的外部区域。半导体设备可以通过在第一阶段分别向第一裂缝检测结构和第二裂缝检测结构施加具有电压电平差的第一功率和第二功率来加速在第一裂缝检测结构周围出现的裂缝的进展，可以在第二阶段向第一裂缝检测结构施加测试输入信号，并且可以在第二阶段基于在第二裂缝检测结构中是否检测到响应于测试输入信号的测试输出信号来确定在中心区域中是否出现渐进裂缝。
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