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公开(公告)号：CN113497035A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202011342115.0
申请日：2020-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源区，限定在衬底上；第一栅电极，跨第一有源区；第一漏区，在第一有源区中与第一栅电极相邻的位置处；底切区域，在第一有源区与第一栅电极之间；以及第一栅间隔物，在第一栅电极的侧表面上并延伸到底切区域中。
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