公开(公告)号：CN1323439C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200410092147.4

申请日：2004-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基喆 ,  曹寅昱 ,  李秉镇 ,  金相秀 ,  林宝丽

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明公开了一种采用多个介电纳米团簇的永久性存储单元及其制造方法。在一实施方式中，所述永久性存储单元包括具有沟道区的半导体衬底。将控制栅设置于沟道区上。在沟道区和控制栅之间设置控制栅介电层。在沟道区和控制栅介电层之间设置多个介电纳米团簇。控制栅介电层将每个纳米团簇与相邻的纳米团簇分隔。在多个介电纳米团簇和沟道区之间设置隧道氧化物层。此外，在半导体衬底上形成源极和漏极。

公开(公告)号：CN1607667A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410092147.4

申请日：2004-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基喆 ,  曹寅昱 ,  李秉镇 ,  金相秀 ,  林宝丽

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明公开了一种采用多个介电纳米团簇的永久性存储单元及其制造方法。在一实施方式中，所述永久性存储单元包括具有沟道区的半导体基底。将控制栅设置于沟道区上。在沟道区和控制栅之间设置控制栅介电层。在沟道区和控制栅介电层之间设置多个介电纳米团簇。控制栅介电层将每个纳米团簇与相邻的纳米团簇分隔。在多个介电纳米团簇和沟道区之间设置隧道氧化物层。此外，在半导体基底上形成源极和漏极。