公开(公告)号：CN118804596A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311545566.8

申请日：2023-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔茂林 ,  沈善一 ,  白承祐 ,  李知珉

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/40 ,  H10B43/35 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41

Abstract: 提供了一种半导体装置、半导体装置的制造方法和电子系统。半导体装置包括接合电路和单元区。单元区包括衬底、基底存储器部和接合存储器部。在此，基底存储器部包括：位于衬底上并且具有第一表面和第二表面的第一栅极堆叠结构，穿透第一栅极堆叠结构的第一沟道结构，以及位于第二表面上并且连接到第一沟道结构的基底接合焊盘。接合存储器部包括：具有接合到基底存储器部的第三表面和接合到电路区的第四表面的第二栅极堆叠结构，穿透第二栅极堆叠结构的第二沟道结构，在第三表面中连接到第二沟道结构并接合到基底接合焊盘的第一接合焊盘，以及在第四表面中连接到第二沟道结构并接合到电路区的第二接合焊盘。

公开(公告)号：CN118733212A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410342670.5

申请日：2024-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在民 ,  李知珉 ,  许峻豪

IPC: G06F9/48

Abstract: 本公开提供了一种射频集成电路、一种从装置、以及用于中断处理的方法和装置。一种中断处理方法包括：通过使用公用寄存器执行第一中断；在第一中断的执行期间接收第二中断和第二中断的第二优先级；将第一中断的第一优先级与第二中断的第二优先级进行比较；基于第二中断的第二优先级高于第一优先级，通过使用查找表来产生与第二中断的第二优先级相对应的第一寄存器索引；以及基于第一寄存器索引是专用索引，保持第一中断的保存在公用寄存器中的上下文，分配用于第二中断的执行的专用寄存器，以及通过使用所分配的专用寄存器来执行与第二中断相对应的中断程序。中断程序被保存在存储器中。

公开(公告)号：CN117998851A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311461200.2

申请日：2023-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔茂林 ,  沈善一 ,  李知珉 ,  张允瑄

IPC: H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H10B43/40 ,  H10B41/41 ,  H10B41/35 ,  H10B43/35 ,  G11C11/401

Abstract: 公开了一种半导体装置和一种数据存储系统。半导体装置包括：第一半导体结构，其包括位于第一衬底上的电路装置、连接到电路装置的下互连结构、和连接到下互连结构的下接合结构；以及第二半导体结构，其包括：第二衬底，其位于第一半导体结构上；停止层，其与第二衬底的下表面接触；栅电极，其在竖直方向上堆叠并且彼此间隔开；沟道结构，其穿透栅电极，并且各自包括沟道层；位于栅电极下方的上互连结构；与第二衬底间隔开的外围接触插塞；以及接合到下接合结构的上接合结构，其中，沟道结构穿透停止层的至少一部分，并且其中，外围接触插塞穿透停止层的至少一部分。

公开(公告)号：CN110871396A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910599793.6

申请日：2019-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪银璟 ,  具男一 ,  李知珉 ,  金圣协 ,  吴相演 ,  全翊善 ,  崔芝旼

IPC: B24B37/013 ,  H01L21/67

Abstract: 一种化学机械抛光设备包括：抛光头，其包括抛光头主体、附于抛光头主体的下部的薄膜和布置在抛光头主体与薄膜之间的反射器；包括开口的托盘；发射器，其布置在托盘的开口下方，该发射器被构造为发射太赫波；检测器，其布置在托盘的开口下方，该检测器被构造为接收从发射器发射的太赫波和从反射器反射的太赫波；以及分析器，其被构造为分析通过转换由检测器接收到的太赫波而产生的电信号，该分析器被构造为确定抛光结束点。