公开(公告)号：CN103426992A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310197218.6

申请日：2013-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐钟旭 ,  沈恩德 ,  李相沌 ,  洪玄权

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/22 ,  H01L33/30 ,  H01L33/44

Abstract: 提供了一种半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层，由AlxGayIn1-x-yP（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）或AlzGa1-zAs（0≤z≤1）形成；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，其中，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的至少一层包括由(AlvGa1-v)0.5In0.5P（0.7≤v≤1）或AlwIn1-wP（0≤w≤1）形成并且具有凹入和突起的低折射率表面层。

公开(公告)号：CN103811603A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310567368.1

申请日：2013-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相沌 ,  徐钟旭 ,  韩尚宪

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025

Abstract: 本公开提供了半导体发光器件及其制造方法。半导体发光器件包括由III族氮化物半导体配置的基底层、形成在基底层的III族元素极性表面上的极性修改层、以及形成在极性修改层上的具有多层结构的III族氮化物半导体的发光叠层，该多层结构中的至少一层的上表面由N极性表面形成。