-
公开(公告)号：CN101113514B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200710107773.X
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/22 , C23C16/513 , C23F4/00 , H05H1/24
CPC classification number: C23C16/507 , H01J37/321 , H05H1/46
Abstract: 本发明公开一种基底处理设备，该基底处理设备包括：真空室，具有用于产生等离子体的反应空间，目标基底位于该真空室中；低频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；低频电源供应件，将低频电源施加给低频天线单元；高频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；高频电源供应件，将高频电源施加给高频天线单元。所述设备通过高频天线单元使反应气体的点燃有效地执行，并通过低频天线单元提高等离子体和低频天线单元之间的感应耦合的效率，从而提高等离子体产生效率。
-
公开(公告)号：CN1901772A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610106324.9
申请日：2006-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/321 , H01J37/3266
Abstract: 本发明提供了一种处理基底的设备，该设备包括：处理室，包括反应空间，在反应空间内，放置将被处理的基底和形成等离子体；铁氧体磁芯，包括多个设置在反应空间外部的柱和连接器，以跨过多个柱面向反应空间并使多个柱相互连接；线圈，缠绕在多个柱的周围；电源单元，向线圈提供电源。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1901772B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610106324.9
申请日：2006-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/321 , H01J37/3266
Abstract: 本发明提供了一种处理基底的设备，该设备包括：处理室，包括反应空间，在反应空间内，放置将被处理的基底和形成等离子体；铁氧体磁芯，包括多个设置在反应空间外部的柱和连接器，以跨过多个柱面向反应空间并使多个柱相互连接；线圈，缠绕在多个柱的周围；电源单元，向线圈提供电源。
-
公开(公告)号：CN100530969C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200310124351.5
申请日：2003-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李根硕
IPC: H03L7/06
Abstract: 一种PLL集成电路，包括一具有第一和第二输入端子的充电泵，它们被配置以分别接收UP和DOWN控制信号。还提供一鉴相器。所述鉴相器被配置以利用响应于至少一个由所述充电泵所产生的信号的控制电路，在死区补偿时间间隔期间产生处于有效电平的所述UP和DOWN控制信号。所述控制电路进一步被配置以在所述死区补偿时间间隔期间支持到所述鉴相器的参考时钟信号和/或反馈时钟信号更新，其中所述控制电路具有至少一个逻辑门，被配置以产生一复位信号的前沿，所述前沿触发死区补偿时间间隔的开始。
-
公开(公告)号：CN101113514A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710107773.X
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/22 , C23C16/513 , C23F4/00 , H05H1/24
CPC classification number: C23C16/507 , H01J37/321 , H05H1/46
Abstract: 本发明公开一种基底处理设备，该基底处理设备包括：真空室，具有用于产生等离子体的反应空间，目标基底位于该真空室中；低频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；低频电源供应件，将低频电源施加给低频天线单元；高频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；高频电源供应件，将高频电源施加给高频天线单元。所述设备通过高频天线单元使反应气体的点燃有效地执行，并通过低频天线单元提高等离子体和低频天线单元之间的感应耦合的效率，从而提高等离子体产生效率。
-
公开(公告)号：CN101154921A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153503.2
申请日：2007-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李根硕
CPC classification number: H03C3/0925 , H03C3/0933 , H03C3/0941 , H03C3/0958
Abstract: 一种两点调制装置包括第一sigma－delta调制器(SDM)、第二SDM和模拟锁相环(PLL)。第一SDM基于信道数据和调制数据提供分频控制信号。第二SDM基于调制数据提供前馈路径调制信号。模拟PLL接收分频控制信号和前馈路径调制信号，并产生跟随参考频率信号的压控振荡频率信号。
-
公开(公告)号：CN1531205A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200310124351.5
申请日：2003-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李根硕
IPC: H03L7/06
Abstract: 一种PLL集成电路，包括一具有第一和第二输入端子的充电泵，它们被配置以分别接收UP和DOWN控制信号。还提供一鉴相器。所述鉴相器被配置以利用响应于至少一个由所述充电泵所产生的信号的控制电路，在死区补偿时间间隔期间产生处于有效电平的所述UP和DOWN控制信号。所述控制电路进一步被配置以在所述死区补偿时间间隔期间支持到所述鉴相器的参考时钟信号和/或反馈时钟信号更新。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.027 seconds)
