公开(公告)号：CN1036227C

公开(公告)日：1997-10-22

申请号：CN93121528.5

申请日：1993-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奎灿 ,  李礼承 ,  潘天洙 ,  李庚旭

IPC: G11C11/404

CPC classification number: H01L27/10858 ,  H01L27/1082

Abstract: 以绝缘体附硅制造DRAM的方法，步骤为；在第一硅衬底上划分单元区域与外围区域并形成存储器件区域的下凹；隔离各电元件形成第一绝缘层以划分有源与无源区；有源区与电容器在第一绝缘层上连接处形成电容的电介质层；电介质层上成型多晶硅层以形成存储节点；极板节点上形成第二绝缘层并以热处理平整化；已平整的绝缘层上形成第三导电层达预定厚度并将其抛光平整；以第二绝缘层为蚀刻阻挡层；平整第一硅衬底背面显露有源区；并在形成位线同时形成开关元件。

公开(公告)号：CN1322016A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN01100202.6

申请日：2001-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵金钟 ,  崔兑僖 ,  金相秀 ,  李化成 ,  李来寅 ,  李庚旭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66916 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76259 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/802

Abstract: CMOS集成电路器件包括电绝缘层和在电绝缘层上的未形变的硅有源层。并在未形变的硅有源层表面上设置绝缘栅电极。在电绝缘层和未形变的硅有源层之间还设置Si1－xGex层。Si1－xGex层与未形变的硅有源层形成第一结,并具有沿从峰值朝未形变的硅有源层的表面延伸的第一方向单调地降低的渐变Ge浓度。

公开(公告)号：CN1165085C

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN01100202.6

申请日：2001-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵金钟 ,  崔兑僖 ,  金相秀 ,  李化成 ,  李来寅 ,  李庚旭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66916 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76259 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/802

Abstract: CMOS集成电路器件包括电绝缘层和在电绝缘层上的未形变的硅有源层。并在未形变的硅有源层表面上设置绝缘栅电极。在电绝缘层和未形变的硅有源层之间还设置Si1-xGex层。Si1-xGex层与未形变的硅有源层形成第一结，并具有沿从峰值朝未形变的硅有源层的表面延伸的第一方向单调地降低的渐变Ge浓度。

公开(公告)号：CN1090672A

公开(公告)日：1994-08-10

申请号：CN93121528.5

申请日：1993-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奎灿 ,  李礼承 ,  潘天洙 ,  李庚旭

IPC: G11C21/00 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10858 ,  H01L27/1082

Abstract: 以绝缘体附硅制造DRAM的方法，步骤为：在第一硅衬底上划分单元区域与外围区域并形成存储器件区域的下凹；隔离各电元件形成第一绝缘层以划分有源与无源区；有源区与电容器在第一绝缘层上连接处形成电容的电介质层；电介质层上成型多晶硅层以形成存储节点；极板节点上形成第二绝缘层并以热处理平整化；已平整的绝缘层上形成第三导电层达预定厚度并将其抛光平整；以第二绝缘层为蚀刻阻挡层；平整第一硅衬底背面显露有源区；并在形成位线同时形成开关元件。