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公开(公告)号：CN119947238A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411013029.3
申请日：2024-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种三维半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源部分，在第一区域上并且包括第一下沟道图案和第一下源/漏图案；第二有源部分，在第一有源部分上并且包括第一上沟道图案和第一上源/漏图案；第三有源部分，在第二区域上并且包括第二下沟道图案和第二下源/漏图案；第四有源部分，在第三有源部分上并且包括第二上沟道图案和第二上源/漏图案；以及栅电极，在第一下沟道图案和第二下沟道图案以及第一上沟道图案和第二上沟道图案上。第一下沟道图案在第一方向上的第一宽度大于第二下沟道图案在第一方向上的第二宽度。
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