公开(公告)号：CN1292571A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN00131892.6

申请日：2000-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李容卓 ,  赵学柱 ,  金荣宽

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 具有电容器保护层的半导体存储器件以及制备半导体存储器件的方法。半导体存储器件的电容器被具有多层结构的密封层覆盖。密封层包括由不同材料组成的阻隔层和电容器保护层。阻隔层由能防止电容器介质层挥发和/或能防止位于阻隔层之下的材料层与电容器保护层之间反应的材料组成。电容器保护层由能防止氢扩散到电容器介质层中的材料层组成。此外,半导体存储器件可具有在电容器与钝化层之间的作为另一电容器保护层的氢阻挡层。

公开(公告)号：CN1173406C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN00131892.6

申请日：2000-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李容卓 ,  赵学柱 ,  金荣宽

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 具有电容器保护层的半导体存储器件以及制备半导体存储器件的方法。半导体存储器件的电容器被具有多层结构的密封层覆盖。密封层包括由不同材料组成的阻隔层和电容器保护层。阻隔层由能防止电容器介质层挥发和/或能防止位于阻隔层之下的材料层与电容器保护层之间反应的材料组成。电容器保护层由能防止氢扩散到电容器介质层中的材料层组成。此外，半导体存储器件可具有在电容器与钝化层之间的作为另一电容器保护层的氢阻挡层。