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公开(公告)号：CN1384505A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02116187.9
申请日：2002-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/34 , G11C11/401 , H01L27/108
CPC classification number: G11C5/143
Abstract: 一种控制半导体存储器的进入和退出低电(DPD)模式的半导体装置,包括:多个电压发生器,提供工作电压;DPD控制器,检测DPD条件,产生DPD信号,控制施加工作电压到半导体存储器;偏置电路,将至少一个电压发生器的多个节点偏置为至少一个预定电位以防在进入/退出DPD模式时误触发电路。另一种半导体装置包括:多个输入缓冲器,缓冲多个DPD型信号;辅助缓冲器,个别缓冲DPD进入/退出信号;多个电压发生器,向内部电路提供工作电压;DPD控制电路,接收DPD型信号以解码DPD进入和退出命令,解码DPD进入命令时输出电压发生器控制信号以关断电压发生器,关断除辅助缓冲器外的多个缓冲器;自动脉冲发生器,收到DPD退出命令时产生电压脉冲以启动半导体装置的内部电路。
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公开(公告)号：CN1747063B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200510089338.X
申请日：2005-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C7/00
CPC classification number: G11C7/065 , G11C11/406 , G11C11/4091 , G11C2211/4065
Abstract: 半导体存储器，包括第一存储单元，连接在通过第一地址存取的第一字线与反相位线之间；第二存储单元，连接在通过第二地址存取的第二字线与位线之间；第一型检测放大器，串接在该位线与该反相位线之间，如果在第一启动信号上施加第一电压，使第一型第一MOS晶体管检测该反相位线及第一型第二MOS晶体管检测该位线、第二型第一检测放大器，串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第一MOS晶体管的检测能力比第二型第二MOS晶体管好；以及第二型第二检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第四MOS晶体管的检测能力比第二型第三MOS晶体管好。本发明可通过延长刷新周期，降低刷新操作的电源消耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100474441C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN02116187.9
申请日：2002-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/34 , G11C11/401 , H01L27/108
CPC classification number: G11C5/143
Abstract: 一种控制半导体存储器的进入和退出低电(DPD)模式的半导体装置，包括：多个电压发生器，提供工作电压；DPD控制器，检测DPD条件，产生DPD信号，控制施加工作电压到半导体存储器；偏置电路，将至少一个电压发生器的多个节点偏置为至少一个预定电位以防在进入/退出DPD模式时误触发电路。另一种半导体装置包括：多个输入缓冲器，缓冲多个DPD型信号；辅助缓冲器，个别缓冲DPD进入/退出信号；多个电压发生器，向内部电路提供工作电压；DPD控制电路，接收DPD型信号以解码DPD进入和退出命令，解码DPD进入命令时输出电压发生器控制信号以关断电压发生器，关断除辅助缓冲器外的多个缓冲器；自动脉冲发生器，收到DPD退出命令时产生电压脉冲以启动半导体装置的内部电路。
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公开(公告)号：CN1811983A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610006168.9
申请日：2006-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08
Abstract: 一种半导体存储器件包括子字线驱动器，用于选择性地将子字线之一与主字线相连、并且将具有比电源电压高的电平的升高电压施加到所选的子字线。器件包括子字线驱动器控制信号生成器。子字线驱动器控制信号生成器接收施加的隔离信号来将读出放大器与连接到构成器件存储单元阵列的存储单元的位线电隔离，并且生成驱动器控制信号，用来确定子字线驱动器是否工作。因此，可以降低子字线驱动器控制信号生成器的负载，从而降低功耗。
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公开(公告)号：CN100350501C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN02116186.0
申请日：2002-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/34 , G11C11/401 , H01L27/108
Abstract: 一种半导体装置，用于控制半导体存储器的进入和退出低电模式(DPD)，包括：多个电压发生器，用于提供工作电压到所述半导体存储器；DPD控制器，用于检测DPD状态和产生DPD信号以控制所述工作电压施加到所述半导体存储器；和控制电路，用于控制在DPD模式的进入/退出后接通/关断所述多个电压发生器的时刻，以便减少通过所述半导体存储器的电涌到小于最大电流值。
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公开(公告)号：CN1747063A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510089338.X
申请日：2005-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C7/00
CPC classification number: G11C7/065 , G11C11/406 , G11C11/4091 , G11C2211/4065
Abstract: 半导体存储器及检测其位线的方法。该半导体存储器包括一第一存储单元，其连接在一通过一第一地址存取的第一字线与一反相位线之间；一第二存储单元，其连接在一通过一第二地址存取的第二字线与一位线之间；一第一型检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，如果在一第一启动信号上施加一第一电压，使一第一型第一MOS晶体管检测该反相位线及一第一型第二MOS晶体管检测该位线、一第二型第一检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第一MOS晶体管的检测能力比第二型第二MOS晶体管好；以及一第二型第二检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第四MOS晶体管的检测能力比第二型第三MOS晶体管好。
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公开(公告)号：CN1384504A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02116186.0
申请日：2002-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/34 , G11C11/401 , H01L27/108
Abstract: 一种半导体装置,用于控制半导体存储器的进入和退出低电模式(DPD),包括:多个电压发生器,用于提供工作电压到所述半导体存储器;DPD控制器,用于检测DPD状态和产生DPD信号以控制所述工作电压施加到所述半导体存储器;和控制电路,用于控制在DPD模式的进入/退出后接通/关断所述多个电压发生器的时刻,以便减少通过所述半导体存储器的电涌到小于最大电流值。
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