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公开(公告)号:CN119324150A
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN202410629537.8
申请日:2024-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/68
Abstract: 一种半导体处理设备包括:光产生器,其被配置为输出具有极紫外(EUV)波段的EUV光;掩模台,其被配置为放置反射从光产生器输出的EUV光的掩模;光接收光学单元,其包括通过反射从掩模反射的EUV光产生输出光的多个镜,所述多个镜中的至少一个包括镜主体和附着于镜主体的表面的反射层;电源,其被配置为将偏置电压施加至反射层;以及衬底台,其被配置为放置要被输出光辐射的衬底。