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发明公开
磁致电阻存储器件及包括其的半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN117062510A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310530454.9

申请日：2023-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仑泳 , 朴相奂 , 朴容星 , 朴正宪 , 徐铉雨

IPC: H10N50/10 , H10N50/85 , H10B61/00 , H10N50/01 , H10N50/80

Abstract: 本发明公开了一种磁致电阻存储器件和包括该磁致电阻存储器件的半导体器件，该磁致电阻存储器件包括：下电极；在下电极上的下磁性材料层；在下磁性材料层上的隧道势垒层；在隧道势垒层上的上磁性材料层；盖结构，在上磁性材料层上，包括交替层叠的第一层和第二层；在盖结构上的盖导电层；以及在盖导电层上的上电极，其中第一层包括含非磁性材料的第一材料，第二层包括含磁性材料的第二材料。

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