公开(公告)号：CN1747059B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200510087878.4

申请日：2005-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  朴玩濬 ,  朴祥珍 ,  黄仁俊 ,  权纯宙 ,  金永根 ,  理查德·J·甘比诺

IPC: G11C11/15 ,  H01F10/14 ,  H01F41/14

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673

Abstract: 本发明涉及磁膜结构及其制造方法、半导体器件及其运行方法。该磁膜结构包括：下磁膜；形成在该下磁膜上的隧穿膜；形成在该隧穿膜上的上磁膜，其中该下和上磁膜是铁磁膜，当该下和上磁膜具有相反的磁化方向时，在其间形成电化学势差。

公开(公告)号：CN1747059A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510087878.4

申请日：2005-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  朴玩濬 ,  朴祥珍 ,  黄仁俊 ,  权纯宙 ,  金永根 ,  理查德·J·甘比诺

IPC: G11C11/15 ,  H01F10/14 ,  H01F41/14

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673

Abstract: 本发明涉及磁膜结构及其制造方法、半导体器件及其运行方法。该磁膜结构包括：下磁膜；形成在该下磁膜上的隧穿膜；形成在该隧穿膜上的上磁膜，其中该下和上磁膜是铁磁膜，当该下和上磁膜具有相反的磁化方向时，在其间形成电化学势差。

公开(公告)号：CN1649028A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510006413.1

申请日：2005-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  金起园 ,  权纯宙 ,  朴祥珍

IPC: G11C11/15 ,  G11B5/39 ,  G01R33/09 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268

Abstract: 提供了一磁阻器件，其中，依次形成了一钉扎层、一被钉扎层、一反铁磁层和一自由层，并且，所述自由层是由金属间化合物形成的。所述磁阻器件提供了高MR比，因而，提高了灵敏度裕量。