公开(公告)号：CN108461494B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN201810087764.7

申请日：2018-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑铉澔 ,  李正允 ,  权台纯 ,  闵庚石 ,  成金重 ,  林青美 ,  池雅凜 ,  洪承秀

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423

Abstract: 半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高度在第一有源图案上延伸的凹入部分。第二栅电极可以包括以第一高度在第二有源图案上延伸的上部，并且包括以比第二栅电极的第一高度低的第二高度在第二有源图案上延伸的凹入部分。绝缘图案可以位于第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分之间，并且与第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分直接相邻，绝缘图案使第一栅电极和第二栅电极彼此电隔离。

公开(公告)号：CN108695378B

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN201810289668.0

申请日：2018-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权台纯 ,  李正允 ,  池雅凛 ,  闵庚石 ,  成金重

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 公开一种半导体装置。半导体装置包含衬底、沟道半导体图案、栅极电极、源区/漏区以及气隙。沟道半导体图案竖直地堆叠在衬底上且彼此间隔开。栅极电极跨过沟道半导体图案。源区/漏区位于栅极电极的相对侧边，源区/漏区连接到沟道半导体图案。气隙位于衬底与源区/漏区的底部表面之间，以使得源区/漏区的底部表面不接触衬底。

公开(公告)号：CN108695377B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201711321445.X

申请日：2017-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  权台纯 ,  林青美 ,  李正允

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，从基底突出并且在第一方向上延伸；至少一个纳米片，与鳍型有源区的上表面分隔开并且面对鳍型有源区的上表面，所述至少一个纳米片具有沟道区；栅极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且围绕所述至少一个纳米片的至少一部分；源/漏区，在所述至少一个纳米片的两侧上位于鳍型有源区上；源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片之间。

公开(公告)号：CN108695378A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810289668.0

申请日：2018-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权台纯 ,  李正允 ,  池雅凛 ,  闵庚石 ,  成金重

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78618 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78

Abstract: 公开一种半导体装置。半导体装置包含衬底、沟道半导体图案、栅极电极、源区/漏区以及气隙。沟道半导体图案竖直地堆叠在衬底上且彼此间隔开。栅极电极跨过沟道半导体图案。源区/漏区位于栅极电极的相对侧边，源区/漏区连接到沟道半导体图案。气隙位于衬底与源区/漏区的底部表面之间，以使得源区/漏区的底部表面不接触衬底。

公开(公告)号：CN108695377A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201711321445.X

申请日：2017-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  权台纯 ,  林青美 ,  李正允

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/0607 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/7858 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1033

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，从基底突出并且在第一方向上延伸；至少一个纳米片，与鳍型有源区的上表面分隔开并且面对鳍型有源区的上表面，所述至少一个纳米片具有沟道区；栅极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且围绕所述至少一个纳米片的至少一部分；源/漏区，在所述至少一个纳米片的两侧上位于鳍型有源区上；源极/漏极保护层，位于所述至少一个纳米片的侧壁上并且位于源/漏区与所述至少一个纳米片之间。

公开(公告)号：CN108461494A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810087764.7

申请日：2018-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑铉澔 ,  李正允 ,  权台纯 ,  闵庚石 ,  成金重 ,  林青美 ,  池雅凜 ,  洪承秀

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/10 ,  H01L29/0653 ,  H01L27/092 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878

Abstract: 半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高度在第一有源图案上延伸的凹入部分。第二栅电极可以包括以第一高度在第二有源图案上延伸的上部，并且包括以比第二栅电极的第一高度低的第二高度在第二有源图案上延伸的凹入部分。绝缘图案可以位于第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分之间，并且与第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分直接相邻，绝缘图案使第一栅电极和第二栅电极彼此电隔离。