公开(公告)号：CN1783338B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200510087401.6

申请日：2005-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泽善 ,  李润相 ,  李祯培

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/406

CPC classification number: G11C11/406 ,  G11C11/40611 ,  G11C11/40618 ,  G11C2211/4067

Abstract: 本发明公开了与多存储体同步动态存取存储器(SDRAM)电路、模块和存储系统一起使用的方法和装置。在所描述的一个实施例中，SDRAM电路接收用于自动刷新操作的存储体地址，并对指定的存储体和对当前刷新行执行自动刷新操作。该存储器件允许在对所有存储体和当前刷新行完成自动刷新操作之前进入自刷新模式。该存储器件在对新行执行自刷新操作之前完成对当前刷新行的刷新操作。还描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN1783338A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510087401.6

申请日：2005-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泽善 ,  李润相 ,  李祯培

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/406

CPC classification number: G11C11/406 ,  G11C11/40611 ,  G11C11/40618 ,  G11C2211/4067

Abstract: 本发明公开了与多存储体同步动态存取存储器(SDRAM)电路、模块和存储系统一起使用的方法和装置。在所描述的一个实施例中，SDRAM电路接收用于自动刷新操作的存储体地址，并对指定的存储体和对当前刷新行执行自动刷新操作。该存储器件允许在对所有存储体和当前刷新行完成自动刷新操作之前进入自刷新模式。该存储器件在对新行执行自刷新操作之前完成对当前刷新行的刷新操作。还描述了其它实施例。