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公开(公告)号:CN110187826A
公开(公告)日:2019-08-30
申请号:CN201910006958.4
申请日:2019-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 键-值存储设备包括非易失性存储器设备和存储器控制器。非易失性存储器设备存储值、被参考以标识该值的键、以及基于该值的擦除操作而更改的键寿命数据;存储器控制器从主机接收指示擦除与键相对应的值的擦除命令、响应于该擦除命令生成大小小于键大小的哈希数据,并且向主机发送完成消息。存储器控制器基于哈希数据访问存储在非易失性存储器设备中的键和键寿命数据,并且在发送完成消息之后的空闲时间段内,基于所访问的键和所访问的键寿命数据擦除值。
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公开(公告)号:CN110413221B
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN201910307898.X
申请日:2019-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种数据存储设备,包括:非易失性存储器,包括第一区域和与第一区域不同的第二区域;以及将第一数据和第二数据存储在非易失性存储器的第一区域中的控制器。非易失性存储器的第一区域包括第一存储区域和第二存储区域。第一数据的一部分存储在第一存储区域中,并且第一数据的另一部分存储在第二存储区域中。第二数据存储在第二存储区域中,并且第二数据开始的第二存储区域的偏移值存储在非易失性存储器的第二区域中。
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公开(公告)号:CN112948280A
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN202011178478.5
申请日:2020-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0802 , G06F12/0882 , G06F12/1009
Abstract: 提供了一种存储装置及操作其的方法和管理存储装置中的数据的方法。所述存储装置包括多个非易失性存储器芯片,每个非易失性存储器芯片包括多个页。从外部主机装置接收第一数据对象。第一数据对象具有不固定的大小,并且对应于作为单个地址的第一逻辑地址。基于确定不可将第一数据存储在所述多个页中的单个页中,基于至少一个选择参数来设置用于第一数据对象的缓冲策略。在对第一数据对象的第一逻辑地址和存储有第一数据对象的页的第一物理地址进行映射的同时,存储第一缓冲方向与映射结果,第一缓冲方向表示用于第一数据对象的缓冲策略。
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公开(公告)号:CN112948280B
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202011178478.5
申请日:2020-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0802 , G06F12/0882 , G06F12/1009
Abstract: 提供了一种存储装置及操作其的方法和管理存储装置中的数据的方法。所述存储装置包括多个非易失性存储器芯片,每个非易失性存储器芯片包括多个页。从外部主机装置接收第一数据对象。第一数据对象具有不固定的大小,并且对应于作为单个地址的第一逻辑地址。基于确定不可将第一数据存储在所述多个页中的单个页中,基于至少一个选择参数来设置用于第一数据对象的缓冲策略。在对第一数据对象的第一逻辑地址和存储有第一数据对象的页的第一物理地址进行映射的同时,存储第一缓冲方向与映射结果,第一缓冲方向表示用于第一数据对象的缓冲策略。
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公开(公告)号:CN110187826B
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN201910006958.4
申请日:2019-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 键‑值存储设备包括非易失性存储器设备和存储器控制器。非易失性存储器设备存储值、被参考以标识该值的键、以及基于该值的擦除操作而更改的键寿命数据;存储器控制器从主机接收指示擦除与键相对应的值的擦除命令、响应于该擦除命令生成大小小于键大小的哈希数据,并且向主机发送完成消息。存储器控制器基于哈希数据访问存储在非易失性存储器设备中的键和键寿命数据,并且在发送完成消息之后的空闲时间段内,基于所访问的键和所访问的键寿命数据擦除值。
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公开(公告)号:CN109521948A
公开(公告)日:2019-03-26
申请号:CN201810840685.9
申请日:2018-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种操作键值存储设备的方法,包括:键值存储设备从主机接收包括第一键、第一值和第一快照标识(ID)的第一命令;响应于接收到的第一命令,所述键值存储设备生成包括第一快照ID、第一键和在非易失性存储器中写入所述第一值的第一物理地址的第一快照条目;从主机接收包括第一键、第二值和第二快照ID的第二命令;并且响应于接收到的第二命令,键值存储设备生成包括第二快照ID、第一键和在非易失性存储器中写入所述第二值的第二物理地址的第二快照条目。
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公开(公告)号:CN110413221A
公开(公告)日:2019-11-05
申请号:CN201910307898.X
申请日:2019-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种数据存储设备,包括:非易失性存储器,包括第一区域和与第一区域不同的第二区域;以及将第一数据和第二数据存储在非易失性存储器的第一区域中的控制器。非易失性存储器的第一区域包括第一存储区域和第二存储区域。第一数据的一部分存储在第一存储区域中,并且第一数据的另一部分存储在第二存储区域中。第二数据存储在第二存储区域中,并且第二数据开始的第二存储区域的偏移值存储在非易失性存储器的第二区域中。
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公开(公告)号:CN110059099A
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201811515723.X
申请日:2018-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F16/242
Abstract: 一种存储设备,包括控制器,所述控制器从主机接收与存储在存储器中的数据相对应的值和要参考以识别所述值的键。此外,所述控制器管理指示在部分键和值地址之间的对应关系的部分键-值映射信息,以及响应于主机请求将信息返回给主机。该信息对应于包括与接收的键的特定位置处的字符相同的字符的键。该控制器通过以下方式确定该信息:基于该部分键-值映射信息确定存储数据的所述存储器的部分区域,以及对所述部分区域执行读取操作以获得包括该部分键的整个键。
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公开(公告)号:CN119002803A
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202410988792.1
申请日:2019-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储设备及其操作方法。提供了键‑值存储设备及其操作方法。键‑值存储设备包括非易失性存储器设备和存储器控制器。非易失性存储器设备存储值、被参考以标识该值的键、以及基于该值的擦除操作而更改的键寿命数据;存储器控制器从主机接收指示擦除与键相对应的值的擦除命令、响应于该擦除命令生成大小小于键大小的哈希数据,并且向主机发送完成消息。存储器控制器基于哈希数据访问存储在非易失性存储器设备中的键和键寿命数据,并且在发送完成消息之后的空闲时间段内,基于所访问的键和所访问的键寿命数据擦除值。
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