公开(公告)号：CN1525571A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410003541.6

申请日：2004-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润星 ,  朴柱成

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L24/05 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供一种具有连接焊盘的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体衬底上形成的线图形，由线隔片覆盖线图形的侧壁。具有线隔片的半导体衬底的所有表面覆有材料层。通过焊盘接触孔贯穿材料层的预定部分。焊盘接触孔穿过线图形之间的区域，露出半导体衬底。焊盘接触孔包括线图形之间的下开口和位于下开口上的上开口。上开口的侧壁覆有阻挡层。由阻挡层围绕的上开口和下开口填有连接焊盘。焊盘接触孔和阻挡层的形成包括部分地刻蚀材料层以形成具有与每个线图形的上表面相同高度或更小的下表面，在上开口的侧壁上形成阻挡层和刻蚀存在于上开口下的材料层，以形成穿过线图形之间的区域的下开口。

公开(公告)号：CN1310328C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200410092659.0

申请日：2004-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘硕垣 ,  吴京锡 ,  朴柱成 ,  辛中铉

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件及制造该半导体器件的方法，适于防止在存储节点之间产生电桥，而不增加平面面积。在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少一个存储节点。该存储节点具有底部和从底部边缘向上延伸的侧壁。至少部分侧壁凹陷。

公开(公告)号：CN100339998C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410003541.6

申请日：2004-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润星 ,  朴柱成

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L24/05 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种具有连接焊盘的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体衬底上形成的线图形，由线隔片覆盖线图形的侧壁。具有线隔片的半导体衬底的所有表面覆有材料层。通过焊盘接触孔贯穿材料层的预定部分。焊盘接触孔穿过线图形之间的区域，露出半导体衬底。焊盘接触孔包括线图形之间的下开口和位于下开口上的上开口。上开口的侧壁覆有阻挡层。由阻挡层围绕的上开口和下开口填有连接焊盘。焊盘接触孔和阻挡层的形成包括部分地刻蚀材料层以形成具有与每个线图形的上表面相同高度或更小的下表面，在上开口的侧壁上形成阻挡层和刻蚀存在于上开口下的材料层，以形成穿过线图形之间的区域的下开口。

公开(公告)号：CN1619818A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410092659.0

申请日：2004-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘硕垣 ,  吴京锡 ,  朴柱成 ,  辛中铉

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件及制造该半导体器件的方法，适于防止在存储节点之间产生电桥，而不增加平面面积。在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少一个存储节点。该存储节点具有底部和从底部边缘向上延伸的侧壁。至少部分侧壁凹陷。