公开(公告)号：CN118553624A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311368065.7

申请日：2023-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许洧瑄 ,  朴俊炯 ,  朴志恩 ,  沈智慧 ,  李知泳

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00

Abstract: 本公开提供了半导体封装以及制造半导体封装的方法。一种制造半导体封装的方法可以包括：形成第一布线结构；在第一布线结构上多次涂覆高透射率光致抗蚀剂；通过曝光和显影高透射率光致抗蚀剂而在高透射率光致抗蚀剂中形成多个开口；通过用导电材料填充所述多个开口而形成多个导电柱；去除高透射率光致抗蚀剂；在第一布线结构上设置半导体芯片；形成围绕半导体芯片和所述多个导电柱的密封剂；以及在密封剂上形成第二布线结构，其中在第一布线结构和高透射率光致抗蚀剂彼此接触的部分处，高透射率光致抗蚀剂的透光率大于或等于3.2％。