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公开(公告)号：CN1327229A
公开(公告)日：2001-12-19
申请号：CN01101636.1
申请日：2001-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/24085 , G11B7/007 , G11B7/261 , G11B7/263
Abstract: 提供一种具有不同深度凹槽和凹坑的光盘及其制造方法。光盘满足条件λ/8n≤d3≤λ/5n,式中d3为凹槽和凹坑的深度之差,λ为光源波长,n为光盘折射率。制造方法包括在玻璃原版盘上沉积光敏抗蚀剂。通过使用不同功率电平的激光束刻槽玻璃原版盘生成不同深度的第一和第二平台区域并显影制造原版盘。然后,从原版盘冲压具有与原版盘相反凹槽和凹坑区域的阳模,从阳模冲压形状与阳模形状相反的阴模。阴模用于通过注模制造光盘。用于DVD－RW的仅再现凹坑无需蚀刻处理可以方便地生成。
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公开(公告)号：CN1173339C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN01101636.1
申请日：2001-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/24085 , G11B7/007 , G11B7/261 , G11B7/263
Abstract: 提供一种具有不同深度凹槽和凹坑的光盘及其制造方法。光盘满足条件λ/8n≤d3≤λ/5n，式中d3为凹槽和凹坑的深度之差，λ为光源波长，n为光盘折射率。制造方法包括在玻璃原版盘上沉积光敏抗蚀剂。通过使用不同功率电平的激光束刻槽玻璃原版盘生成不同深度的第一和第二平台区域并显影制造原版盘。然后，从原版盘冲压具有与原版盘相反凹槽和凹坑区域的阳模，从阳模冲压形状与阳模形状相反的阴模。阴模用于通过注模制造光盘。用于DVD-RW的仅再现凹坑无需蚀刻处理可以方便地生成。
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公开(公告)号：CN1273416A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：CN00119231.0
申请日：2000-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/007 , G11B11/10578
Abstract: 具有深度为λ/4n到λ/2n的深凹槽的光盘基片,这里λ是光拾取器激光束波长,n是基片的折射率。光盘基片包括:多个具有预定深度的深凹槽,各个深凹槽具有以θ角倾斜的侧壁,和多个具有与基片表面相同水平面的凸面,其中用于最小串扰的凹槽深度D是由下述数学关系确定:D=0.4022—0.4574×A+0.6458×A2
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公开(公告)号：CN1263021C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410028760.X
申请日：2004-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24 , G11B7/252 , Y10T428/21
Abstract: 本发明公开了一种用于移动式设备的光盘。该光盘包括一基底，其外径小于120毫米且不小于30毫米，厚度小于1.1毫米且不小于0.40毫米，以便获得0.7度或更小的偏转角。也可选择成使光盘包括一基底，其外径不小于30毫米且厚度不小于0.435毫米，以便获得0.6度或更小的的偏转角。
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公开(公告)号：CN1168081C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN00120280.4
申请日：2000-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , Y10S430/146
Abstract: 本发明提供了一种多层结构的相变光盘，在透明基材上，顺序地层合第一介电层、相控制层，在相控制层上，由于复制光束的照射，产生有相差的两个区域，这样改变了复制光束的光程，这两个区域限定在激光点中，第二介电层，通过记录光束照射在晶相和无定形态之间可逆地转换的相变记录层，第三介电层，反射层和保护层。由于在记录控制层上的相邻区域之间的相差可以复制记录标记的信息，由此减小了复制光束有效光点的尺寸。相邻记号或相邻标记之间信号的混合减少，由此得到高密度光盘和提高了复制信号的分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1281217A
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：CN00120280.4
申请日：2000-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , Y10S430/146
Abstract: 本发明提供了一种多层结构的相变光盘,在透明基材上,顺序地层合第一介电层、相控制层,在相控制层上,由于复制光束的照射,产生有相差的两个区域,这样改变了复制光束的光程,这两个区域限定在激光点中,第二介电层,通过记录光束照射在晶相和无定形态之间可逆地转换的相变记录层,第三介电层,反射层和保护层。由于在记录控制层上的相邻区域之间的相差可以复制记录标记的信息,由此减小了复制光束有效光点的尺寸。相邻记号或相邻标记之间信号的混合减少,由此得到高密度光盘和提高了复制信号的分辨率。
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公开(公告)号：CN100342433C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03821287.0
申请日：2003-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/24079 , G11B7/00736 , G11B7/0906
Abstract: 一种光学信息存储介质包括：引入区域；引出区域；和用户数据区域，位于引入区域和引出区域之间并且其中记录用户数据。凹坑被形成在引入区域、用户数据区域、和引出区域中，引入区域包括第一子区域和第二子区域，第一子区域中的相邻轨道之间的第一轨道间距大于第二子区域中的相邻轨道之间的第二轨道间距，并且光学信息存储介质相关信息被记录在第一子区域中。
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公开(公告)号：CN1150538C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN00119231.0
申请日：2000-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/007 , G11B11/10578
Abstract: 具有深度为λ/4n到λ/2n的深凹槽的光盘基片，这里λ是光拾取器激光束波长，n是基片的折射率。光盘基片包括：多个具有预定深度的深凹槽，各个深凹槽具有以θ角倾斜的侧壁，和多个具有与基片表面相同水平面的凸面，其中用于最小串扰的凹槽深度D是由下述数学关系确定。D＝0.4022-0.4574×A+0.6458×A2
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公开(公告)号：CN1682286A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821287.0
申请日：2003-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/24079 , G11B7/00736 , G11B7/0906
Abstract: 一种光学信息存储介质包括：引入区域；引出区域；和用户数据区域，位于引入区域和引出区域之间并且其中记录用户数据。凹坑被形成在引入区域、用户数据区域、和引出区域中，并且在引入区域的全部或一部分中的轨道间距与在该光学信息存储介质的剩余区域中的轨道间距不同。
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公开(公告)号：CN1538419A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410028760.X
申请日：2004-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24 , G11B7/252 , Y10T428/21
Abstract: 本发明公开了一种用于移动式设备的光盘。该光盘包括一基底，其外径小于120毫米且不小于30毫米，厚度小于1.1毫米且不小于0.40毫米，以便获得0.7度或更小的偏转角。也可选择成使光盘包括一基底，其外径不小于30毫米且厚度不小于0.435毫米，以便获得0.6度或更小的偏转角。
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