-
公开(公告)号：CN1808709A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510125777.1
申请日：2005-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，其包括：在基板上形成包括栅电极、漏电极、源电极及半导体的薄膜晶体管；在源电极及漏电极上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成透明导电层；使用光刻胶作为蚀刻掩模，蚀刻透明导电层，以露出第一钝化层的一部分并形成与漏电极连接的像素电极；将第一钝化层和光刻胶抛光；以及去除光刻胶。
-
公开(公告)号：CN1913163B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610110142.9
申请日：2006-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1237 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/78621
Abstract: 薄膜晶体管衬底及其制造方法。衬底包括第一和第二导电型金属氧化物半导体(MOS)晶体管。第一导电型MOS晶体管包括形成在阻挡层上具有与沟道两边相邻的第一导电型低浓度掺杂区的第一半导体层，与第一导电型低浓度掺杂质区相邻的第一导电型源/漏极区，形成在第一半导体层上的第一栅绝缘层，形成在第一栅绝缘层上并与沟道区和第一半导体层的低浓度掺杂质区重叠的第二栅绝缘层，形成在第二栅绝缘层上的第一栅极。第二导电型MOS晶体管包括形成在阻挡层上具有与沟道两边相邻的第二导电型源/漏极区的第二半导体层，形成在第二半导体层上的第一栅绝缘层，形成在第一栅绝缘层上并与第二半导体层重叠的第二栅绝缘层，形成在第二栅绝缘层上的第二栅极。
-
公开(公告)号：CN100524701C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510125777.1
申请日：2005-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，其包括：在基板上形成包括栅电极、漏电极、源电极及半导体的薄膜晶体管；在源电极及漏电极上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成透明导电层；使用光刻胶作为蚀刻掩模，蚀刻透明导电层，以露出第一钝化层的一部分并形成与漏电极连接的像素电极；将第一钝化层和光刻胶抛光；以及去除光刻胶。
-
公开(公告)号：CN1811570A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510129759.0
申请日：2005-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1339 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1341 , G02F1/1339 , G02F1/136227 , G02F2001/133388 , G02F2201/50
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，使用所述薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器及其制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板，具有包括多个像素区的显示区和包围所述显示区的周边区；多个薄膜晶体管，分别形成于所述像素区中；钝化层，由有机材料制成并且覆盖所述薄膜晶体管；多个像素电极，分别连接到所述薄膜晶体管并且形成于所述像素区的钝化层上；有机阻挡构件，用与所述像素电极相同的层形成并且设置在周边区中；以及密封剂，包围所述显示区并且形成于所述周边区的钝化层上，其中所述有机阻挡构件与所述密封剂重叠。
-
公开(公告)号：CN1790723A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510119903.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：具有显示区域和驱动器的基板；多晶硅层，形成于基板上，并包括沟道、源和漏区和设置在沟道区与源和漏区之间、且具有低于源和漏区的杂质浓度的轻掺杂区；形成于多晶硅层上的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层上并与多晶硅层的沟道区交叠而且掺杂有杂质的杂质层；形成于杂质层上的栅极；覆盖栅极并具有分别暴露出源和漏区的第一和第二接触孔的层间绝缘层；以及通过第一和第二接触孔分别连接到源和漏区的源和漏极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1893116B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610090326.3
申请日：2006-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/40 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , G02F1/1368
Abstract: 本发明公开了一种在不降低性能的情况下具有提高的处理效率的薄膜晶体管(TFT)板以及制造该TFT板的方法。TFT板包括由双层构成的栅极绝缘层图样。上栅极绝缘层图样的两侧壁的上部与栅电极的两侧壁基本对准。上栅极绝缘层图样的两侧壁的下部与在轻掺杂区与源区之间的边界部分以及在轻掺杂区与漏区之间的边界部分基本对准。因此，在下栅极绝缘层图样之下的轻掺杂区的浓度逐渐改变。
-
公开(公告)号：CN100405604C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200510097892.2
申请日：2005-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13454 , G02F2001/13629 , G02F2201/50 , H01L27/124
Abstract: 本发明公开了一种改进的薄膜晶体管阵列板。在一个实施例中，阵列板包括多条栅线、数据线和多个连接到栅线和数据线的开关元件。层间绝缘层形成于栅线和数据线之间。还提供了覆盖栅线、数据线和开关元件的钝化层，其具有多个暴露所述数据线的部分的第一接触孔，其中，开关元件和像素电极通过第一接触孔连接。多个辅助接触形成于钝化层上且通过钝化层中的多个第二接触孔连接到数据线。多条辅助线通过层间绝缘层中的多个第三接触孔连接到数据线。
-
公开(公告)号：CN1744322A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510097892.2
申请日：2005-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13454 , G02F2001/13629 , G02F2201/50 , H01L27/124
Abstract: 本发明公开了一种改进的薄膜晶体管阵列板。在一个实施例中，阵列板包括多条栅线、数据线和多个连接到栅线和数据线的开关元件。层间绝缘层形成于栅线和数据线之间。还提供了覆盖栅线、数据线和开关元件的钝化层，其具有多个暴露所述数据线的部分的第一接触孔，其中，开关元件和像素电极通过第一接触孔连接。多个辅助接触形成于钝化层上且通过钝化层中的多个第二接触孔连接到数据线。多条辅助线通过层间绝缘层中的多个第三接触孔连接到数据线。
-
公开(公告)号：CN1913163A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610110142.9
申请日：2006-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1237 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/78621
Abstract: 薄膜晶体管衬底及其制造方法。衬底包括第一和第二导电型金属氧化物半导体(MOS)晶体管。第一导电型MOS晶体管包括形成在阻挡层上具有与沟道两边相邻的第一导电型低浓度掺杂区的第一半导体层，与第一导电型低浓度掺杂质区相邻的第一导电型源/漏极区，形成在第一半导体层上的第一栅绝缘层，形成在第一栅绝缘层上并与沟道区和第一半导体层的低浓度掺杂质区重叠的第二栅绝缘层，形成在第二栅绝缘层上的第一栅极。第二导电型MOS晶体管包括形成在阻挡层上具有与沟道两边相邻的第二导电型源/漏极区的第二半导体层，形成在第二半导体层上的第一栅绝缘层，形成在第一栅绝缘层上并与第二半导体层重叠的第二栅绝缘层，形成在第二栅绝缘层上的第二栅极。
-
公开(公告)号：CN1893116A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610090326.3
申请日：2006-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/40 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , G02F1/1368
Abstract: 本发明公开了一种在不降低性能的情况下具有提高的处理效率的薄膜晶体管(TFT)板以及制造该TFT板的方法。TFT板包括由双层构成的栅极绝缘层图样。上栅极绝缘层图样的两侧壁的上部与栅电极的两侧壁基本对准。上栅极绝缘层图样的两侧壁的下部与在轻掺杂区与源区之间的边界部分以及在轻掺杂区与漏区之间的边界部分基本对准。因此，在下栅极绝缘层图样之下的轻掺杂区的浓度逐渐改变。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.018 seconds)
