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公开(公告)号：CN114256268A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111137185.7
申请日：2021-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，其包括沟槽；沟槽中的直接接触件，直接接触件的宽度小于沟槽的宽度；直接接触件上的位线结构，位线结构的宽度小于沟槽的宽度；第一间隔件，其包括第一部分和第二部分，第一部分沿着直接接触件的整个侧表面延伸，第二部分沿着沟槽延伸；第一间隔件上的第二间隔件，第二间隔件填充沟槽；第二间隔件上的第三间隔件；以及第三间隔件上的空气间隔件，空气间隔件通过第三间隔件与第二间隔件间隔开，其中，第一间隔件包括氧化硅。
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