公开(公告)号：CN101286469A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810109244.8

申请日：2008-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴义珍 ,  崔允浩 ,  朴仁荣 ,  郑桓一 ,  崔成锡

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/68735

Abstract: 具有用于防止空隙形成的结构的等离子体处理设备，包括：内部形成等离子体环境的腔体；位于腔体上部位置的上电极；位于腔体下部位置的静电卡盘，其具有下电极并在其顶表面上承载晶片；位于静电卡盘外侧的环；以及将静电卡盘与环之间的间隔与外界隔开的空隙防止单元。