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公开(公告)号：CN103778959B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201310502766.5
申请日：2013-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了数据存储设备、控制器以及数据存储设备的操作方法。非易失性存储器包括：存储单元阵列，包括多个非易失性存储单元；解码器，通过多个字线与存储单元阵列连接；数据输入/输出电路，通过多个位线与存储单元阵列连接；电压检测器，被配置成检测电源电压的变化以输出电压变化信号；以及控制逻辑，被配置成控制解码器和数据输入/输出电路从而响应于电压变化信号使存储在存储单元阵列中的数据无效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103778959A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310502766.5
申请日：2013-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了数据存储设备、控制器以及数据存储设备的操作方法。非易失性存储器包括：存储单元阵列，包括多个非易失性存储单元；解码器，通过多个字线与存储单元阵列连接；数据输入/输出电路，通过多个位线与存储单元阵列连接；电压检测器，被配置成检测电源电压的变化以输出电压变化信号；以及控制逻辑，被配置成控制解码器和数据输入/输出电路从而响应于电压变化信号使存储在存储单元阵列中的数据无效。
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公开(公告)号：CN1921013B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200610132286.4
申请日：2006-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , H01L27/2409 , H01L27/2436
Abstract: 一种相位变化随机访问存储装置，包括连接到写电路和读电路的全局位线；多条局部位线，其中每条被连接到多个相位变化存储单元；以及多个列选择晶体管，选择性地将该全局位线连接到多条局部位线中的每一条。每个列选择晶体管具有取决于与该写电路和该读电路距离的电阻。
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公开(公告)号：CN101740118B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200910253065.6
申请日：2009-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C7/1018 , G11C8/18 , G11C11/5678 , G11C13/00 , G11C13/0004
Abstract: 本发明提供一种相变和阻变随机存取存储器设备，该存储器设备包括相变或阻变存储器单元阵列和配置为放大从所述相变存储器单元阵列读取的数据的读出放大器。这些随机存取存储器设备配置为从所述相变或阻变存储器单元阵列的第一字线读取数据，并且在突发模式操作期间当第一边界跨越发生时，插入其中没有数据读取的伪突发。也提供了一种在突发模式中操作相变和/或阻变随机存取存储器设备的相关方法。
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公开(公告)号：CN101740118A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910253065.6
申请日：2009-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C7/1018 , G11C8/18 , G11C11/5678 , G11C13/00 , G11C13/0004
Abstract: 提供一种相变和阻变随机存取存储器设备，该存储器设备包括相变或阻变存储器单元阵列和配置为放大从所述相变存储器单元阵列读取的数据的读出放大器。这些随机存取存储器设备配置为从所述相变或阻变存储器单元阵列的第一字线读取数据，并且在突发模式操作期间当第一边界跨越发生时，插入其中没有数据读取的伪突发。也提供了一种在突发模式中操作相变和/或阻变随机存取存储器设备的相关方法。
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公开(公告)号：CN1921013A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610132286.4
申请日：2006-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , H01L27/2409 , H01L27/2436
Abstract: 一种相位变化随机访问存储装置，包括连接到写电路和读电路的全局位线；多条局部位线，其中每条被连接到多个相位变化存储单元；以及多个列选择晶体管，选择性地将该全局位线连接到多条局部位线中的每一条。每个列选择晶体管具有取决于与该写电路和该读电路距离的电阻。
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