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公开(公告)号：CN111741238A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010522206.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N1/028 , H01L27/146
Abstract: 提供了包括阻光图案的光学传感器以及包括该光学传感器的电子设备。光学传感器可以包括多个光电转换区域、在所述多个光电转换区域上的多个透镜、以及在所述多个光电转换区域与所述多个透镜之间延伸的阻光层。阻光层可以包括在所述多个光电转换区域中的第一光电转换区域与所述多个透镜中的第一透镜之间的开口。光学传感器可以配置为与显示面板组装，使得所述多个透镜设置在阻光层与显示面板之间。
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公开(公告)号：CN110970452A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910710726.7
申请日：2019-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 一种3D图像传感器包括深度像素和与深度像素相邻的至少两个偏振像素。深度像素包括在基板中的电荷产生区域。深度像素配置为基于检测从物体反射的光来生成与3D场景中的从3D图像传感器起的物体的深度相关联的深度信息。每个偏振像素包括在基板中的光电二极管和在基板上在光入射方向上的偏振器。偏振像素配置为基于检测从物体反射的光而生成与3D场景中的物体的表面形状相关联的形状信息。偏振像素和深度像素共同地限定单位像素。各偏振器与不同的偏振方向相关联。
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公开(公告)号：CN110021612B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201811352594.7
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括具有多个块区域的基底。每个块区域可以包括分离的多个像素区域。每个像素区域可以包括位于基底中的多个光电元件中的单独的光电元件以及位于基底上的多个微透镜中的单独的微透镜。多个微透镜中的每个微透镜可以从像素区域的垂直中心线朝向块区域的中心横向偏移。多个块区域中的每个块区域可以包括块区域的多个微透镜的共同偏移形状。
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公开(公告)号：CN108257985B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201711442531.6
申请日：2017-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/144
Abstract: 本公开提供了光传感器。第一基板包括多个单元像素区域。深沟槽隔离结构设置在第一基板中并使所述多个单元像素区域彼此隔离。多个光电转换器的每个设置在所述多个单元像素区域中的对应一个中。多个微透镜设置在第一基板上。多个分光器设置在第一基板上。所述多个分光器的每个设置在所述多个微透镜中的对应一个与所述多个光电转换器中的对应一个之间。多个光电转换增强层的每个设置在所述多个分光器中的对应一个与所述多个光电转换器中的对应一个之间。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111491117A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010174341.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N1/028 , H01L27/146
Abstract: 提供了包括阻光图案的光学传感器以及包括该光学传感器的电子设备。光学传感器可以包括多个光电转换区域、在所述多个光电转换区域上的多个透镜、以及在所述多个光电转换区域与所述多个透镜之间延伸的阻光层。阻光层可以包括在所述多个光电转换区域中的第一光电转换区域与所述多个透镜中的第一透镜之间的开口。光学传感器可以配置为与显示面板组装，使得所述多个透镜设置在阻光层与显示面板之间。
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公开(公告)号：CN110021612A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811352594.7
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括具有多个块区域的基底。每个块区域可以包括分离的多个像素区域。每个像素区域可以包括位于基底中的多个光电元件中的单独的光电元件以及位于基底上的多个微透镜中的单独的微透镜。多个微透镜中的每个微透镜可以从像素区域的垂直中心线朝向块区域的中心横向偏移。多个块区域中的每个块区域可以包括块区域的多个微透镜的共同偏移形状。
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