公开(公告)号：CN101179050A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710167818.2

申请日：2007-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑丞弼 ,  李善雨 ,  崔永文 ,  文成昊 ,  尹洪植 ,  崔锡宪 ,  边炅来

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

Abstract: 提供一种制造集成电路器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上顺序地形成下部互连层、催化剂层以及缓冲层，形成层间介电层以覆盖缓冲层，形成穿过层间介电层的接触孔以便可部分地暴露缓冲层的顶面，去除缓冲层的由接触孔暴露的部分以便可以暴露催化剂层的顶面，以及从催化剂层的由接触孔暴露的部分生长碳纳米管以便接触孔可由碳纳米管填充。

公开(公告)号：CN101179050B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200710167818.2

申请日：2007-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑丞弼 ,  李善雨 ,  崔永文 ,  文成昊 ,  尹洪植 ,  崔锡宪 ,  边炅来

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

Abstract: 提供一种制造集成电路器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上顺序地形成下部互连层、催化剂层以及缓冲层，形成层间介电层以覆盖缓冲层，形成穿过层间介电层的接触孔以便可部分地暴露缓冲层的顶面，去除缓冲层的由接触孔暴露的部分以便可以暴露催化剂层的顶面，以及从催化剂层的由接触孔暴露的部分生长碳纳米管以便接触孔可由碳纳米管填充。