公开(公告)号：CN112397639A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010811130.9

申请日：2020-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李叙元 ,  文廷桓 ,  朴正熏 ,  金禹珍 ,  洪亨善

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/14 ,  G11C11/16

Abstract: 磁存储器件包括：器件隔离层，在衬底上并限定有源区；源极区和漏极区，在衬底的有源区中彼此分开；沟道部分，在衬底的有源区中并在源极区和漏极区之间；自旋轨道矩(SOT)诱导层，在衬底的沟道部分上；在SOT诱导层上的磁隧道结(MTJ)结构，该MTJ结构包括在SOT诱导层上的自由层、在自由层上的隧道势垒层和在隧道势垒层上的被钉扎层；在MTJ结构上的字线；电连接到源极区的源极线；以及电连接到漏极区的位线。

公开(公告)号：CN115714093A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211011520.3

申请日：2022-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成熙 ,  金载润 ,  文廷桓 ,  朴正熏 ,  张圭伯 ,  郑载勋 ,  朱敃劲

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  G01N33/00

Abstract: 提供一种晶片缺陷测试设备、晶片缺陷测试系统和制造晶片的方法。晶片缺陷测试设备包括：晶片变量生成器，其基于接收的第一晶片的第一结构测量数据和第一工艺条件数据生成第一工艺变量和第二工艺变量，基于接收的第二晶片的第二结构测量数据和第二工艺条件数据生成第三工艺变量和第四工艺变量；异常晶片指数生成电路，其生成第一晶片向量和第二晶片向量，计算第一晶片向量和第二晶片向量之间的第一欧几里德距离和第一余弦距离，基于第一欧几里德距离和第一余弦距离的乘积生成第一晶片的第一异常晶片指数；和预测模型生成电路，其接收第一特征变量，基于第一工艺变量、第二工艺变量、第一特征变量和第一异常晶片指数通过回归生成晶片缺陷预测模型。