公开(公告)号：CN114388556A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111208643.1

申请日：2021-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任宝林 ,  金泓秀 ,  朴钟国 ,  崔豪势 ,  成贤柱

IPC: H01L27/24

Abstract: 提供了一种集成电路存储器件和可变电阻存储器件。该集成电路存储器件包括在衬底上的多个行选择晶体管和虚设行选择晶体管。多条字线和多条虚设字线也提供在衬底上。提供电连接到所述多条字线中的对应的字线的多个存储单元。提供电连接到所述多条虚设字线中的对应的虚设字线的多个虚设存储单元。提供将所述多条字线中的第一字线电连接到所述多个行选择晶体管中的第一行选择晶体管的第一布线结构，以及提供将所述多条虚设字线电连接在一起并将所述多条虚设字线电连接到虚设行选择晶体管的第二布线结构。

公开(公告)号：CN114188337A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111079273.6

申请日：2021-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴秀振 ,  甘喜星 ,  高秉柱 ,  成贤柱

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括：堆叠结构，包括在下部结构上的层间绝缘层和水平层；垂直存储结构，在垂直方向上穿过堆叠结构；第一阻挡结构和第二阻挡结构，在垂直方向上穿过堆叠结构并且彼此平行；穿过堆叠结构的支撑物图案；以及穿过堆叠结构的贯穿接触插塞。第一阻挡结构包括在第一方向上排列并彼此间隔开的第一阻挡图案以及在第一方向上排列并彼此间隔开的第二阻挡图案。第一阻挡图案和第二阻挡图案中的每个包括在第一方向上延伸的线形形状。在彼此相邻的第一阻挡图案和第二阻挡图案中，第一阻挡图案的一部分在垂直于第一方向的第二方向上与第二阻挡图案的一部分相对。