公开(公告)号：CN115224040A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210411474.X

申请日：2022-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志荣 ,  李东植 ,  任峻成 ,  康范圭 ,  成皓准

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了一种半导体装置和一种电子系统。半导体装置包括：衬底；第一堆叠结构，其位于衬底上并且包括多个第一栅电极；第二堆叠结构，其位于第一堆叠结构上并且包括多个第二栅电极；沟道孔，其包括延伸穿过第一堆叠结构的下部的第一下沟道孔、连接到第一下沟道孔的第一上沟道孔、以及连接到第一上沟道孔的第二沟道孔；以及沟道孔中的沟道结构。第一下沟道孔的侧壁具有相对于第一方向的第一倾斜度，第一上沟道孔的侧壁具有相对于第一方向的第二倾斜度，第二沟道孔的侧壁具有相对于第一方向的第三倾斜度。