相位插值器以及包括相位插值器的装置

    公开(公告)号:CN108134605A

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201710057556.8

    申请日:2017-01-26

    Abstract: 公开了一种相位插值器以及包括相位插值器的装置。一种相位插值器包括:控制电路,被配置为:生成与选择的粗相位间隔对应的选择控制信号,并且生成用于生成具有在粗相位间隔内的插值相位的相位插值时钟信号的权重设置信号;相位选择器,被配置为:接收多个反相延迟时钟信号对,基于选择控制信号从所述多个反相延迟时钟信号对选择至少两个反相延迟时钟信号对,从选择的至少两个反相延迟时钟信号对选择并且输出与粗相位间隔对应的选择延迟时钟信号对;相位混合器,被配置为:从相位选择器接收选择延迟时钟信号对,并且基于权重设置信号生成相位插值时钟信号。

    半导体装置、其制造方法和其操作方法

    公开(公告)号:CN110456850B

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN201910361426.2

    申请日:2019-04-30

    Abstract: 一种半导体装置包括:电压产生器,其产生参考电压;第一参考电流产生器,其接收参考电压并产生参考电流;非易失性存储器,其存储校准码;第一偏置电流产生器,其对参考电流进行镜像处理,以产生第一偏置电流;以及第二偏置电流产生器,其根据非易失性存储器的校准码调整参考电流,以产生第二偏置电流。

    包括变抗器电路的振荡器及其操作方法

    公开(公告)号:CN109412583A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201810811285.5

    申请日:2018-07-23

    Abstract: 提供了一种振荡器和用于操作振荡器的方法。该振荡器包括:控制电压发生器,被配置为基于对接收到的电源电压进行分压来生成控制电压;偏移电压发生器,被配置为基于对接收到的电源电压进行分压来生成偏移电压;锁相环(PLL),包括变抗器电路,所述变抗器电路被配置为基于所述控制电压和所述偏移电压来修改电容;以及校准逻辑电路,被配置为基于振荡信号向所述控制电压发生器提供选择控制信号,并且被配置为基于所述振荡信号向所述偏移电压发生器提供偏移控制信号。

    包括变抗器电路的振荡器及其操作方法

    公开(公告)号:CN109412583B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN201810811285.5

    申请日:2018-07-23

    Abstract: 提供了一种振荡器和用于操作振荡器的方法。该振荡器包括:控制电压发生器,被配置为基于对接收到的电源电压进行分压来生成控制电压;偏移电压发生器,被配置为基于对接收到的电源电压进行分压来生成偏移电压;锁相环(PLL),包括变抗器电路,所述变抗器电路被配置为基于所述控制电压和所述偏移电压来修改电容;以及校准逻辑电路,被配置为基于振荡信号向所述控制电压发生器提供选择控制信号,并且被配置为基于所述振荡信号向所述偏移电压发生器提供偏移控制信号。

    半导体装置、其制造方法和其操作方法

    公开(公告)号:CN110456850A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910361426.2

    申请日:2019-04-30

    Abstract: 一种半导体装置包括:电压产生器,其产生参考电压;第一参考电流产生器,其接收参考电压并产生参考电流;非易失性存储器,其存储校准码;第一偏置电流产生器,其对参考电流进行镜像处理,以产生第一偏置电流;以及第二偏置电流产生器,其根据非易失性存储器的校准码调整参考电流,以产生第二偏置电流。

    相位插值器以及包括相位插值器的装置

    公开(公告)号:CN108134605B

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN201710057556.8

    申请日:2017-01-26

    Abstract: 公开了一种相位插值器以及包括相位插值器的装置。一种相位插值器包括:控制电路,被配置为:生成与选择的粗相位间隔对应的选择控制信号,并且生成用于生成具有在粗相位间隔内的插值相位的相位插值时钟信号的权重设置信号;相位选择器,被配置为:接收多个反相延迟时钟信号对,基于选择控制信号从所述多个反相延迟时钟信号对选择至少两个反相延迟时钟信号对,从选择的至少两个反相延迟时钟信号对选择并且输出与粗相位间隔对应的选择延迟时钟信号对;相位混合器,被配置为:从相位选择器接收选择延迟时钟信号对,并且基于权重设置信号生成相位插值时钟信号。

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