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公开(公告)号：CN118434155A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410125987.3
申请日：2024-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造磁存储器件的方法可以包括：在基板上形成底电极层；在底电极层上形成阻挡结构；在底电极层上执行第一沉积工艺以在底电极层上形成被钉扎磁性层、隧道势垒层和自由磁性层；在自由磁性层上执行第二沉积工艺以在自由磁性层上形成覆盖层；以及在覆盖层上形成硬掩模之后执行蚀刻工艺以形成磁隧道结图案。第一沉积工艺可以包括朝向基板照射第一光束。第二沉积工艺可以包括朝向基板照射第二光束。相对于垂直于基板的上表面的法线，第二光束可以具有比第一光束更大的角度。
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公开(公告)号：CN113937215A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110740750.2
申请日：2021-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括：钉扎层；自由层；钉扎层和自由层之间的隧道势垒层；第一氧化物层，与隧道势垒层间隔开，其中自由层在第一氧化物层和隧道势垒层之间；以及第二氧化物层，与自由层间隔开，其中第一氧化物层在第二氧化物层和自由层之间。第一氧化物层包括第一材料的氧化物，并且第一氧化物层的厚度可以在从至的范围内。第二氧化物层可以包括第二材料的氧化物，并且第二氧化物层的厚度可以在从至的范围内。第一材料的第一氧亲和性可以大于第二材料的第二氧亲和性。
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公开(公告)号：CN114512596A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111318157.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括磁隧道结的磁存储器件。磁隧道结包括固定层、在固定层上的极化增强结构、在极化增强结构上的隧道势垒层以及在隧道势垒层上的自由层，其中极化增强结构包括多个极化增强层以及将多个极化增强层彼此分开的至少一个间隔物层。多个极化增强层中的每个的厚度为从约至约且至少一个间隔物层的厚度为从约至约
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公开(公告)号：CN117062510A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310530454.9
申请日：2023-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种磁致电阻存储器件和包括该磁致电阻存储器件的半导体器件，该磁致电阻存储器件包括：下电极；在下电极上的下磁性材料层；在下磁性材料层上的隧道势垒层；在隧道势垒层上的上磁性材料层；盖结构，在上磁性材料层上，包括交替层叠的第一层和第二层；在盖结构上的盖导电层；以及在盖导电层上的上电极，其中第一层包括含非磁性材料的第一材料，第二层包括含磁性材料的第二材料。
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