包括天线的电子设备
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108631039B

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN201810246893.6

    申请日:2018-03-23

    Abstract: 提供了一种包括天线的电子设备。电子设备包括:第一天线辐射器,其在第一频带中谐振;第二天线辐射器,其在第二频带和第三频带中谐振,第二频带和第三频带高于第一频带;第三天线辐射器,其在第二频带和第三频带中谐振;通信电路;第一馈电部件,其电连接通信电路和第一天线辐射器;第二馈电部件,其电连接通信电路和第二天线辐射器;以及第三馈电部件,其电连接通信电路和第三天线辐射器。通信电路在通过使用第二天线辐射器来发射和接收第二频带中的信号的同时接收第二频带中的信号,并且在使用第三天线辐射器来发射和接收第三频带中的信号的同时接收第三频带中的信号。

    包括天线的电子装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109565111A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201780048034.X

    申请日:2017-07-26

    Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括:壳体;无线通信电路;第一天线辐射器,与第一地电连接;第二天线辐射器,与第二地电连接;馈电单元,对第一天线辐射器或第二天线辐射器中的至少一个进行馈电;以及第一开关,基于来自无线通信电路的第一控制信号如下操作:以馈电单元与第一天线辐射器彼此电连接的第一连接状态进行操作,以馈电单元与第二天线彼此电连接的第二连接状态进行操作,或者以馈电单元与第一天线辐射器彼此连接且馈电单元与第二天线辐射器彼此电连接的第三连接状态进行操作。

    制造半导体器件的方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110609438B

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN201910475675.4

    申请日:2019-06-03

    Inventor: 徐正勋

    Abstract: 本公开提供了制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括:设计布局;基于所设计的布局制造光掩模;以及使用光掩模进行光刻工艺以在衬底上形成图案。制造光掩模包括:制备包括第一芯片区域和第二芯片区域的光掩模;分别从第一芯片区域和第二芯片区域提取第一图像和第二图像;对第一图像和第二图像求平均以生成从其排除第一图像与第二图像之间的差异区域的初始标准图像;基于该布局将正常图像插入到初始标准图像的与该差异区域对应的区域中以生成标准图像;以及将第一图像和第二图像中的每个与标准图像比较,以检测第一芯片区域和/或第二芯片区域的缺陷。

    包括天线的电子装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109565111B

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN201780048034.X

    申请日:2017-07-26

    Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括:壳体;无线通信电路;第一天线辐射器,与第一地电连接;第二天线辐射器,与第二地电连接;馈电单元,对第一天线辐射器或第二天线辐射器中的至少一个进行馈电;以及第一开关,基于来自无线通信电路的第一控制信号如下操作:以馈电单元与第一天线辐射器彼此电连接的第一连接状态进行操作,以馈电单元与第二天线彼此电连接的第二连接状态进行操作,或者以馈电单元与第一天线辐射器彼此连接且馈电单元与第二天线辐射器彼此电连接的第三连接状态进行操作。

    包括天线的电子设备
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109428160B

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN201810962713.4

    申请日:2018-08-22

    Abstract: 提供了包括天线的电子设备,该电子设备包括壳体。该壳体包括第一表面、背离所述第一表面的第二表面以及围绕所述第一表面和所述第二表面之间的空间的侧构件;通过所述壳体的所述第一表面的大部分被暴露的显示器;形成所述侧构件的一部分的第一辐射器;定位在所述壳体内并包括接地层的PCB;定位在所述PCB上的通信电路以及具有与所述第一辐射器的长度相对应的长度的导电图案。

    制造半导体器件的方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110609438A

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201910475675.4

    申请日:2019-06-03

    Inventor: 徐正勋

    Abstract: 本公开提供了制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括:设计布局;基于所设计的布局制造光掩模;以及使用光掩模进行光刻工艺以在衬底上形成图案。制造光掩模包括:制备包括第一芯片区域和第二芯片区域的光掩模;分别从第一芯片区域和第二芯片区域提取第一图像和第二图像;对第一图像和第二图像求平均以生成从其排除第一图像与第二图像之间的差异区域的初始标准图像;基于该布局将正常图像插入到初始标准图像的与该差异区域对应的区域中以生成标准图像;以及将第一图像和第二图像中的每个与标准图像比较,以检测第一芯片区域和/或第二芯片区域的缺陷。

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