公开(公告)号：CN109524399B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201811082775.2

申请日：2018-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任桐贤 ,  金旲炫 ,  朴训 ,  徐在洪 ,  郑天炯 ,  崔在中

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开提供了半导体存储器件及其制造方法。一种制造半导体存储器件的方法包括：蚀刻基板以形成与基板的有源区交叉的沟槽；在沟槽的底表面和侧表面上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成第一栅电极，该第一栅电极填充沟槽的下部；氧化第一栅电极的顶表面以形成初始阻挡层；氮化初始阻挡层以形成阻挡层；以及在阻挡层上形成第二栅电极，该第二栅电极填充沟槽的上部。

公开(公告)号：CN109524399A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811082775.2

申请日：2018-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任桐贤 ,  金旲炫 ,  朴训 ,  徐在洪 ,  郑天炯 ,  崔在中

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本公开提供了半导体存储器件及其制造方法。一种制造半导体存储器件的方法包括：蚀刻基板以形成与基板的有源区交叉的沟槽；在沟槽的底表面和侧表面上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成第一栅电极，该第一栅电极填充沟槽的下部；氧化第一栅电极的顶表面以形成初始阻挡层；氮化初始阻挡层以形成阻挡层；以及在阻挡层上形成第二栅电极，该第二栅电极填充沟槽的上部。