公开(公告)号：CN118116441A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311622206.3

申请日：2023-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张米志 ,  徐宁焄

IPC: G11C16/24 ,  H10B12/00

Abstract: 一种存储器件包括：存储单元阵列，包括与多条位线和字线中的每一条连接的多个存储单元；第一位线读出放大器，通过第一存储单元和第一连接布线电连接到第一位线；以及第二位线读出放大器，通过长度与第一连接布线的长度不同的第二连接布线电连接到第二位线。调整第一位线的第一补偿负载和第二位线的第二补偿负载以均衡第一位线和第二位线的RC负载。

公开(公告)号：CN119851717A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202410988976.8

申请日：2024-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张米志 ,  李奎锡

IPC: G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097 ,  G11C7/06

Abstract: 公开了一种偏移补偿读出放大器和包括其的存储器件。一种用于感测和放大存储在存储单元中的数据的读出放大器包括：第一读出放大器电路，所述第一读出放大器电路包括连接到第一感测驱动信号线的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；以及第二读出放大器电路，所述第二读出放大器电路包括连接到第二感测驱动信号线的第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。所述读出放大器被配置为在感测和放大存储在所述存储单元中的所述数据之前执行偏移补偿操作，所述偏移补偿操作包括基于所述第一NMOS晶体管与所述第二NMOS晶体管之间的阈值电压差的第一偏移补偿操作，以及基于所述第一PMOS晶体管与所述第二PMOS晶体管之间的阈值电压差的第二偏移补偿操作。

公开(公告)号：CN116092548A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211388917.4

申请日：2022-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南炅兑 ,  徐宁焄 ,  张米志

IPC: G11C11/409 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4091

Abstract: 提供一种存储器装置。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，连接到第一位线和互补位线；第一位线感测放大器，被配置为感测、放大并输出第一位线信号和互补位线信号，第一位线信号在第一位线上输出，并且互补位线信号在互补位线上输出；电荷传输晶体管，连接到第一位线感测放大器，并且被配置为通过第一节点的电荷传输信号选通；偏移晶体管，被配置为基于偏移移除信号连接第一节点和第二节点；以及预充电晶体管，连接在第二节点与预充电电压线之间，并且预充电晶体管被配置为基于均衡信号对第一位线或互补位线进行预充电。