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公开(公告)号：CN116171039A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211497500.1
申请日：2022-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开涉及存储器件及其制造方法。在实施例中，一种存储器件包括存储单元阵列、第一虚设电容器、第二虚设电容器和第三虚设电容器。存储单元阵列包括形成在基板上的栅极结构、与栅极结构相邻的第一有源区、设置在栅极结构与第一有源区之间的栅极绝缘层、以及连接到第一有源区的单元电容器。第一虚设电容器和第二虚设电容器沿着第一方向和竖直方向延伸，并且被设置为在第二方向上与存储单元阵列相邻。第三虚设电容器沿着第二方向和竖直方向延伸，并且被设置为在第一方向上与存储单元阵列相邻。存储单元阵列设置在第一虚设电容器与第二虚设电容器之间。
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