公开(公告)号：CN119479716A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410623022.7

申请日：2024-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴世桓 ,  金真怜 ,  李知尚 ,  张孝正

IPC: G11C7/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34 ,  G11C29/42

Abstract: 公开了存储器装置和存储器装置的操作方法。该存储器装置包括存储器单元阵列、控制读取操作以从每个页读取硬判决数据和软判决数据的控制逻辑、以及包括与硬判决数据的感测有关的第一锁存器和与软判决数据的感测有关的第二锁存器的页缓冲器。控制逻辑控制执行在第一感测时序将基于第一偏移电平确定的值存储在第二锁存器中的第一感测操作、以及在第二感测时序将基于第二偏移电平确定的值存储在第二锁存器中的第二感测操作，并且执行控制操作以在第一感测操作中将设定信号SET提供到第二锁存器，并且在第二感测操作中将重置信号RST提供到第二锁存器。

公开(公告)号：CN115938441A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211224415.8

申请日：2022-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张孝正 ,  金真怜 ,  朴世桓 ,  李知尚

IPC: G11C16/26

Abstract: 公开了在包括具有多个状态的多个存储器单元的非易失性存储器装置中读数据的方法和非易失性存储器装置，该多个状态包括第一状态和第二状态。在该方法中，执行针对第一状态的第一读取操作，执行针对第二状态的第二读取操作。为了执行第一读取操作，通过执行针对第一状态的谷单元计数操作获得针对第一状态的谷的单元计数，基于单元计数和针对第一状态的至少一个第一参考参数确定针对第一状态的第一读取电压电平，通过使用第一读取电压电平来执行针对第一状态的第一感测操作。为了执行第二读取操作，基于单元计数和第二状态的至少一个第二参考参数确定针对第二状态的第二读取电压电平，通过使用针对第二读取电压电平执行针对第二状态的第二感测操作。