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公开(公告)号：CN115691639A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210791193.1
申请日：2022-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括存储器单元阵列、电压发生器、电压路径电路和字线缺陷检测电路。存储器单元阵列包括存储器单元和连接到存储器单元的字线。电压发生器生成施加到字线的字线电压。电压发生器和存储器单元阵列之间的电压路径电路向字线传送字线电压。字线缺陷检测电路连接到电压发生器和电压路径电路之间的测量节点。字线缺陷检测电路基于测量节点的测量电压来测量电压路径电路的路径漏电流，以在补偿模式中生成与路径漏电流相对应的偏移值，并且在缺陷检测模式中基于偏移值和测量电压来确定字线中的每条字线的缺陷。
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