公开(公告)号：CN117637667A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310645288.7

申请日：2023-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 庆瑞恩 ,  金炳镐 ,  金永培 ,  金弘源 ,  李硕远 ,  李在彦 ,  金多禧

IPC: H01L23/498

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件可以包括：下再分布层，所述下再分布层包括下布线和下通路；嵌入区域，所述嵌入区域位于所述下再分布层上；芯层，所述芯层位于所述下再分布层上并且包括芯通路；以及底凸块结构，所述底凸块结构包括底凸块焊盘和底凸块通路，所述底凸块焊盘位于所述下再分布层的下表面上，所述底凸块通路连接所述下布线和所述底凸块焊盘，在俯视图中，所述底凸块焊盘可以与所述底凸块通路、所述下通路和所述芯通路交叠，并且在所述俯视图中，所述底凸块通路可以与所述下通路和所述芯通路中的至少一者间隔开。

公开(公告)号：CN117352484A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310761567.X

申请日：2023-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永培 ,  庆瑞恩

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: 公开了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：再分布结构，具有第一表面和第二表面并且包括多个再分布层，多个再分布层包括分别与第一表面和第二表面相邻的第一再分布层和第二再分布层；半导体芯片，设置在第一表面上；框架，包括连接到第一再分布层的第一再分布过孔的布线结构；以及UBM层，设置在第二表面上并且具有多个UBM过孔。UBM层可以包括与第一再分布过孔叠置的至少一个UBM层，并且第一再分布过孔可以设置为与至少一个UBM层的多个UBM过孔不叠置并且与比多个UBM过孔靠近至少一个UBM层的中心点的内部区域叠置。

公开(公告)号：CN114464611A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110964753.4

申请日：2021-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 庆瑞恩 ,  刘仁姬

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 公开了一种半导体封装，包括位于基板上的第一半导体芯片、位于基板与第一半导体芯片之间的第二半导体芯片、以及位于基板与第一半导体芯片之间的间隔物。基板包括位于第二半导体芯片和间隔物之间的第一基板焊盘。第二半导体芯片包括芯片焊盘和信号线。间隔物包括位于间隔物上的第一虚拟焊盘和耦接到第一虚拟焊盘的第一虚拟线。第一虚拟焊盘在第二半导体芯片附近。第一半导体芯片通过第一半导体芯片上的粘合层附着到第二半导体芯片和间隔物。信号线与第一虚拟线各自的一部分位于粘合层中。