Saved successfully
Save failed
Saved Successfully
Save Failed
公开(公告)号：CN111190331A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201910722297.5
申请日：2019-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金伶厚 , 李根泽 , 赵庸真 , 高次元 , 朴晟见 , 李晓山 , 车知勋 , 崔秀瑛
IPC: G03F7/40 , G03F7/30 , G03F7/32
Abstract: 公开了基底干燥方法、光致抗蚀剂显影方法、光刻方法和基底干燥系统。可提供基底干燥方法，该基底干燥方法包括在基底上提供干燥液体、增大干燥液体的压力以产生超临界流体和去除超临界流体以干燥基底。
