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公开(公告)号：CN118301938A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311304446.9
申请日：2023-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直非易失性存储器装置。垂直非易失性存储器装置包括柱、围绕柱的侧表面的沟道层、围绕沟道层的侧表面的电荷隧穿层、围绕电荷隧穿层的侧表面并包括非晶氮氧化物的电荷捕获层、围绕电荷捕获层的侧表面的电荷阻挡层以及围绕电荷阻挡层的侧表面并沿电荷阻挡层的侧表面交替布置的多个分离层和多个栅电极。
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公开(公告)号：CN119255611A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202410874510.5
申请日：2024-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供竖直NAND闪存器件和包括其的电子设备。竖直NAND闪存器件包括多个单元阵列。所述多个单元阵列各自包括沟道层、设置在沟道层上的电荷俘获层和设置在电荷俘获层上的多个栅电极。所述电荷俘获层包括基体和分散在所述基体中并包括具有半导体特性的氮化物的纳米晶体，所述基体包括非晶金属氧氮化物。
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公开(公告)号：CN119855191A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411421293.0
申请日：2024-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及铁电场效应晶体管、存储器器件和神经网络器件。铁电场效应晶体管包括：沟道、设置为面向所述沟道的栅电极、设置在所述沟道和所述栅电极之间的铁电层、设置在所述沟道和所述铁电层之间的界面层、以及设置在所述铁电层和所述栅电极之间的扩散阻挡层，其中所述扩散阻挡层包括SiON，所述扩散阻挡层具有从所述扩散阻挡层的面向所述栅电极的第一表面朝向所述扩散阻挡层的面向所述铁电层的第二表面逐渐降低的氧浓度梯度，并且扩散阻挡层可具有从所述第一表面朝向所述第二表面逐渐增加的氮浓度梯度。
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公开(公告)号：CN119835966A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411422411.X
申请日：2024-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件及包括该半导体器件的存储设备和电子设备。该半导体器件可以包括栅极电极、在栅极电极上的铁电层、在铁电层上的沟道层以及在铁电层中彼此间隔开的多个纳米结构。所述多个纳米结构可以与栅极电极或者沟道层相邻，或者所述多个纳米结构中的一部分可以与栅极电极相邻且所述多个纳米结构中的其余部分可以与沟道层相邻。
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