公开(公告)号：CN101017853A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610126357.X

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴祥珍 ,  车映官 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  崔石镐

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7882 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种具有电荷俘获层的非易失性存储器件，所述电荷俘获层包括其中压倒性发生空穴俘获的第一俘获层和其中压倒性发生电子俘获的第二俘获层。该非易失性存储器件可根据应用的偏压产生大的平带电压间隔，因为平带电压范围一致地分布在正和负电压上。因此，可以实现非常稳定的多电平单元。