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公开(公告)号：CN117012747A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310139632.5
申请日：2023-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种具有最大化散热效率的结构的半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：第一再分布衬底；第一半导体芯片，在第一再分布衬底上；多个通柱，在第一再分布衬底上并围绕第一半导体芯片；以及第二再分布衬底，位于第一半导体芯片和通柱之上，其中，第一半导体芯片的顶表面与第二再分布衬底的底表面接触。
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