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公开(公告)号：CN118401010A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410108648.4
申请日：2024-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供存储器器件、存储器器件的操作方法和存储器设备。存储器器件包括半导体基底、设置在半导体基底上的栅电极、以及在垂直于半导体基底的第一方向上层叠在半导体基底和栅电极之间并且包括至少一个第一铁电层和至少一个第二铁电层的多个铁电层。第一铁电层具有其中掺杂浓度在第一方向上增加的掺杂浓度梯度，并且第二铁电层具有其中掺杂浓度在第一方向上减少的掺杂浓度梯度。存储器器件配置为根据操作电压实施多位。
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公开(公告)号：CN117202666A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310661589.9
申请日：2023-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了存储器件以及包括该存储器件的电子装置。一种存储器件包括：多个栅电极，在第一方向上彼此间隔开；存储层，包括在垂直于第一方向的第二方向上突出和延伸以分别面对所述多个栅电极的多个存储区域；多个第一绝缘层，在所述多个栅电极之间延伸到在所述多个存储区域之间的空间；沟道层，设置在存储层和所述多个栅电极之间，沟道层具有包括围绕所述多个存储区域的多个第一区域和在第一方向上将所述多个第一区域彼此连接的第二区域的形状；以及栅极绝缘层，布置在沟道层和所述多个栅电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119855191A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411421293.0
申请日：2024-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及铁电场效应晶体管、存储器器件和神经网络器件。铁电场效应晶体管包括：沟道、设置为面向所述沟道的栅电极、设置在所述沟道和所述栅电极之间的铁电层、设置在所述沟道和所述铁电层之间的界面层、以及设置在所述铁电层和所述栅电极之间的扩散阻挡层，其中所述扩散阻挡层包括SiON，所述扩散阻挡层具有从所述扩散阻挡层的面向所述栅电极的第一表面朝向所述扩散阻挡层的面向所述铁电层的第二表面逐渐降低的氧浓度梯度，并且扩散阻挡层可具有从所述第一表面朝向所述第二表面逐渐增加的氮浓度梯度。
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公开(公告)号：CN119835967A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411424658.5
申请日：2024-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的电子装置，包括包含半导体材料的沟道层、布置在沟道层上并且包括铁电材料的铁电层、布置在铁电层上的栅电极、布置在铁电层和栅电极之间并且包括第一顺电材料的第一插入层、以及布置在沟道层和铁电层之间并且包括第二顺电材料的第二插入层，第二顺电材料具有高于第一顺电材料的介电常数的介电常数。
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公开(公告)号：CN118159034A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311674381.7
申请日：2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及包括铁电薄膜的电子器件、半导体器件和制造铁电薄膜的方法。电子器件可包括导电材料层、覆盖所述导电材料层的铁电层、以及覆盖所述铁电层的电极。所述铁电层可包括由HfxAyOz表示的化合物，其中0≤x≤1，0≤y≤1，且2(x+y)
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公开(公告)号：CN114582967A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111439345.3
申请日：2021-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种萤石基材料薄膜，其包括：具有对称段和非对称段的正交晶体结构；以及至少两个具有不同的极化方向的畴。在畴之间的壁处不存在对称段，或者对称段中的至少两个是连续相邻的。还提供了包括具有正交晶体结构的萤石基材料薄膜的半导体器件。萤石基材料薄膜的极化方向被配置为通过对称段和非对称段之间的结构转变而改变。
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