公开(公告)号：CN112701154A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011121554.9

申请日：2020-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在文 ,  金傔 ,  金茶惠 ,  金真范 ,  崔广寅 ,  慎一揆 ,  李承勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092

Abstract: 公开了一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，从衬底突出，在与衬底的上表面平行的第一方向上延伸，并包括第一半导体材料；隔离层，布置在衬底上并覆盖鳍型有源区的侧壁的下部，隔离层包括共形地布置在鳍型有源区的侧壁的下部上的绝缘衬层以及绝缘衬层上的绝缘填充层；覆盖层，围绕鳍型有源区的上表面和侧壁，包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中，覆盖层具有上表面、侧壁以及在上表面与侧壁之间的刻面表面；以及栅极结构，布置在覆盖层上并在与第一方向垂直的第二方向上延伸。