公开(公告)号：CN118785709A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410120775.6

申请日：2024-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李知玟 ,  成政泰 ,  沈善一 ,  张允瑄 ,  赵源锡 ,  崔茂林 ,  崔喆敃

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/30 ,  H10B43/20 ,  H10B43/30

Abstract: 一种半导体器件包括栅电极结构、第一分割图案、第二分割图案和存储沟道结构。每个栅电极结构包括在衬底上沿与所述衬底的上表面基本上垂直的第一方向彼此间隔开的多个栅电极。每个栅电极沿与衬底的上表面基本上平行的第二方向延伸。栅电极结构在与上表面基本上平行并且与第二方向交叉的第三方向上彼此间隔开。第一分割图案在衬底上在栅电极结构之间沿所述第二方向延伸。第二分割图案在衬底上沿所述第三方向延伸，并且位于栅电极结构在第二方向上的端部的侧壁上。存储沟道结构沿第一方向延伸穿过每个栅电极结构。

公开(公告)号：CN118076109A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311585160.2

申请日：2023-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔喆敃 ,  沈善一 ,  林周炫

IPC: H10B41/50 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/50 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅电极结构，包括第一栅电极至第四栅电极；第一存储器沟道结构，延伸穿过第一栅电极至第三栅电极；第二存储器沟道结构，接触第一存储器沟道结构的上表面并且延伸穿过第四栅电极；以及第一接触插塞，包括部分地延伸穿过栅电极结构的下部和在下部的上表面上并接触下部的上表面的上部。第一接触插塞的下部具有变化的宽度，并且第一接触插塞的上部具有从其底部朝向顶部逐渐增加的宽度。第一接触插塞的下部延伸穿过第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极，与第一栅电极和第二栅电极电绝缘，并且电连接到第三栅电极。

公开(公告)号：CN117881192A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311295715.X

申请日：2023-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔喆敃 ,  卞昶勋 ,  沈善一

IPC: H10B43/40 ,  H10B43/20 ,  H10B41/40 ,  H10B41/20 ,  H10B43/30 ,  H10B41/30

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：单元基板；模制结构，包括堆叠在单元基板上的多个栅电极；沟道结构，贯穿模制结构；串选择线，在模制结构上；串选择沟道结构，贯穿串选择线并且接触沟道结构；防电弧接触部，贯穿模制结构；绝缘图案，在防电弧接触部和多个栅电极之间；以及防电弧绝缘图案，贯穿串选择线以与防电弧接触部接触。