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公开(公告)号:CN118298878A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202311871475.3
申请日:2023-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器件,在该存储器件中,至少一条字线或至少一条位线通过多个充电端子进行充电。该存储器件包括第一充电端子和第二充电端子,该第一充电端子用于向至少一条字线或至少一条位线供应第一电压,该第二充电端子用于当通过第一充电端子的电压供应完成时,向至少一条字线或至少一条位线供应第二电压。当使用第一电压进行充电的至少一条字线或至少一条位线的经充电的电压满足第一参考条件时,开始供应第二电压。
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公开(公告)号:CN118155683A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202311553881.5
申请日:2023-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器装置、操作非易失性存储器装置的方法和存储装置。非易失性存储器装置包括:具有串联连接的泵单元的电荷泵电路,电荷泵电路接收用于电荷泵送的外部电压,并根据级控制信号输出级中的泵电压;开关电路,其响应于开关控制信号控制电荷泵电路输出泵送电压;级控制器,其基于温度码输出级控制信号和开关控制信号;以及数字温度传感器,其生成温度码。
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公开(公告)号:CN118280416A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202311574590.4
申请日:2023-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一种操作存储器设备的方法中,通过将第一驱动电压施加到多条字线对存储器块执行第一操作。在完成第一操作之后,执行释放施加到所述多条字线的第一驱动电压的第一恢复操作。在完成第一恢复操作之后,通过将第二驱动电压施加到所述多条字线对存储器块执行第二操作。在第一恢复操作中,将由第一驱动电压存储的多个电荷当中的第一电荷存储在连接到至少一条电荷回收字线的电荷回收存储器块中。在第二操作中,使用存储在电荷回收存储器块中的第一电荷将第二驱动电压施加到所述多条字线。
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公开(公告)号:CN118335155A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202311223995.3
申请日:2023-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件,包括:存储单元阵列,包括耦接到字线的存储单元;升压电路,接收外部电源电压,并基于外部电源电压生成升压电压;调节器,基于外部电源电压生成调节电压;以及控制逻辑,控制提供给字线的字线电压。控制逻辑在针对存储单元阵列的编程操作中执行多个编程循环。控制逻辑向与所选择的字线相邻的相邻字线提供相邻字线电压。在编程循环的第一部分中,控制逻辑提供调节电压作为相邻字线电压,并且在编程循环的第二部分中,控制逻辑提供升压电压作为相邻字线电压。
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公开(公告)号:CN118298891A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202410008139.4
申请日:2024-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12
Abstract: 提供字线缺陷检测电路、字线缺陷检测方法和存储器装置。所述字线缺陷检测电路被配置为检测从存储器装置的多条字线之中选择的至少一条字线的缺陷,所述字线缺陷检测电路包括:电流生成电路,被配置为生成具有第一大小的检测参考电流并将检测参考电流施加到被选字线;以及感测放大器,被配置为测量基于检测参考电流而生成的被选字线的电压。所述字线缺陷检测电路可被配置为响应于被选字线的所述电压具有小于第一参考电压的值而检测到被选字线的缺陷。
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